選擇氮化鎵芯片時(shí)，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的型號(hào)。考慮芯片的可靠性和穩(wěn)定性，包括壽命、耐壓、抗干擾等方面的指標(biāo)。特別是對(duì)于一些長(zhǎng)期運(yùn)行或者在惡劣環(huán)境下工作的應(yīng)用，可靠性是一個(gè)非常重要的考慮因素。選擇一家有良好供應(yīng)鏈和技術(shù)支持的廠商，以確保能夠及時(shí)獲取所需的芯片和技術(shù)支持。同時(shí)，考慮廠商的聲譽(yù)和市場(chǎng)份額，以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。

考慮芯片的價(jià)格和性能之間的平衡，選擇性價(jià)比較高的芯片。在考慮成本時(shí)，還需要考慮一些隱藏成本，如開(kāi)發(fā)工具、測(cè)試和驗(yàn)證等。芯片所在的生態(tài)系統(tǒng)和可擴(kuò)展性，包括軟件支持、開(kāi)發(fā)工具、第三方支持等。一個(gè)完善的生態(tài)系統(tǒng)可以提供更好的開(kāi)發(fā)和支持環(huán)境，同時(shí)也能夠提供更多的選擇和解決方案。選擇氮化鎵芯片需要綜合考慮性能需求、可靠性、供應(yīng)和支持、成本和性價(jià)比、生態(tài)系統(tǒng)和可擴(kuò)展性等多個(gè)因素，根據(jù)具體應(yīng)用的需求進(jìn)行權(quán)衡和選擇。

KT65C1R200D是一個(gè)650V，200米? 采用8x 8 DFN封裝的氮化鎵（GaN）FET。這是一款常關(guān)器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結(jié)合，提供卓越的可靠性和性能。將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及其驅(qū)動(dòng)器封裝在一個(gè)芯片內(nèi)部，降低了氮化鎵快充產(chǎn)品開(kāi)發(fā)門檻，豐富了合封氮化鎵電源芯片市場(chǎng)。

氮化鎵芯片

KT65C1R200D 是一款集成 650V 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管及驅(qū)動(dòng)器的合封氮化鎵芯片，耐壓 650V，導(dǎo)阻 400mΩ，最大漏源極電流 7A，單極正電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓 0V~6V，支持3.3V和5V控制信號(hào)，開(kāi)關(guān)速度超10MHz，具有零反向恢復(fù)損耗。

氮化鎵芯片

氮化鎵芯片

產(chǎn)品采用與單GaN管相同的 DFN8x8 封裝，具備很強(qiáng)的通用性，相比傳統(tǒng)分離驅(qū)動(dòng)方案，可節(jié)省約40%占板面積；此外，采用合封氮化鎵芯片可有效減少驅(qū)動(dòng)回路走線，降低寄生參數(shù)，應(yīng)用極限頻率更高

Keep Tops憑借在氮化鎵領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，敢于人先，在氮化鎵器件設(shè)計(jì)、產(chǎn)品封裝和測(cè)試領(lǐng)域先后實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，使其在功率氮化鎵及其驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域具備強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。

審核編輯：湯梓紅