1月11日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子和氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元（當(dāng)前約為24.08億人民幣）。

該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成，具體取決于Transphorm股東的批準(zhǔn)、所需的監(jiān)管許可以及其他慣例成交條件的滿足。

公告稱，此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)大到電動(dòng)汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長的市場。

瑞薩現(xiàn)在計(jì)劃通過整合Transphorm在GaN方面的專業(yè)知識(shí)，進(jìn)一步擴(kuò)大其WBG產(chǎn)品組合，GaN是一種新興材料，可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的功率損失和更小的尺寸。這些優(yōu)勢使客戶的系統(tǒng)具有更高的效率、更小更輕的組成以及更低的總體成本。

瑞薩首席執(zhí)行官Hidetoshi Shibata表示：“Transphorm公司是一家由在GaN功率領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)的獨(dú)特公司，其源于加利福尼亞大學(xué)圣巴巴拉分校，” “引入Transphorm的GaN技術(shù)將在我們在IGBT和SiC方面的勢頭上構(gòu)建，它將作為增長的關(guān)鍵支柱，推動(dòng)和擴(kuò)展我們的電源產(chǎn)品組合，為客戶提供選擇最佳電源解決方案的完整能力。”

Transphorm的聯(lián)合創(chuàng)始人、總裁兼首席執(zhí)行官Dr. Primit Parikh和聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官Dr. Umesh Mishra表示：“結(jié)合瑞薩的全球影響力、豐富的解決方案和客戶關(guān)系，我們很高興為全行業(yè)采用WBG材料鋪平道路，并為顯著增長創(chuàng)造條件。此次交易還將使我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┻M(jìn)一步擴(kuò)展的服務(wù)，并為我們的股東提供顯著的即時(shí)現(xiàn)金價(jià)值，” “此外，它將為我們卓越的團(tuán)隊(duì)提供一個(gè)強(qiáng)大的平臺(tái)，進(jìn)一步推動(dòng)Transphorm的領(lǐng)先GaN技術(shù)和產(chǎn)品?！?/p>

審核編輯：黃飛