為什么說大功率器件氮化鎵遙遙領(lǐng)先

氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...

2023-09-19 標(biāo)簽：氮化鎵大功率器件 900 0

Anker “智控桌面充管家”再添雙星！鎵未來GaN賦能極簡美學(xué)新視界

GaNext助力|極簡桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時代，鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker，...

2025-06-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNAnker 898 0

鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95％的超高轉(zhuǎn)換效率

臺北的五月皎陽似火，滾滾熱浪將肉眼可見的光線變得彎曲漲裂，如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是，COMPUTEX TAIPEI臺北國際電腦展將在...

2019-05-24 標(biāo)簽：電源氮化鎵 898 0

飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動...

2022-07-29 標(biāo)簽：適配器氮化鎵Transphorm 894 0

新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計優(yōu)勢——第一部分

隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型...

2017-04-18 標(biāo)簽：電源氮化鎵 894 0

Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）與適配器USB PD控制器集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者Weltr...

2024-04-25 標(biāo)簽：SiP氮化鎵Transphorm 893 0

納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024，展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)

在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日...

2024-05-30 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 893 0

金剛石有望成為終極半導(dǎo)體材料

該功率半導(dǎo)體在已有的金剛石半導(dǎo)體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。

2023-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵金剛石功率半導(dǎo)體 888 0

創(chuàng)新技術(shù)推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品

5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大，但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關(guān)挑戰(zhàn)，確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功？

2021-05-19 標(biāo)簽：賽靈思氮化鎵GaN 888 0

氮化鎵構(gòu)建新引擎，UE智能插座制勝新賽道

近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...

2023-03-08 標(biāo)簽：電源充電器氮化鎵 887 0

蘇州高新區(qū)新添三大總部項目，覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)

國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。

2024-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 887 0

羅姆與臺積公司攜手合作開發(fā)車載氮化鎵功率器件

近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)與Taiwan Semiconductor Manufacturing Com...

2024-12-10 標(biāo)簽：電動汽車功率器件氮化鎵 883 0

納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 881 0

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日發(fā)布全球額定...

2023-10-31 標(biāo)簽：開關(guān)IC氮化鎵 880 0

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺概述

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺...

2023-10-08 標(biāo)簽：嵌入式晶體管氮化鎵 880 0

芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇

火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...

2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 878 0