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AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)下的混合氣體測試2024-12-10 10:39
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碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)2024-12-06 17:25
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功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評估:功率循環(huán)測試研究2024-12-06 17:24
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動,包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及交流電(AC)和直流電(DC)之間的轉(zhuǎn)換。這種能力使得功率半導(dǎo)體在各種電力應(yīng)用中不可或缺,例如電力變換器、電機驅(qū)動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體器件在多個領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用,尤其是在新能源 -
AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn):汽車電子散熱性能的熱阻測試指南2024-12-06 17:22
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如何有效避免EBSD數(shù)據(jù)采集中的荷電效應(yīng)并應(yīng)用導(dǎo)電鍍膜技術(shù)?2024-12-06 17:21
電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)是一種強大的材料表征工具,它能夠提供關(guān)于材料微觀結(jié)構(gòu)的詳細信息。然而,在分析絕緣體樣品時,荷電效應(yīng)是一個常見的問題,它會影響EBSD數(shù)據(jù)的質(zhì)量。本文將探討多種方法,以減少甚至消除絕緣體樣品在EBSD分析中的荷電效應(yīng)。樣品制備的關(guān)鍵步驟金鑒實驗室在樣品制備的各個環(huán)節(jié)都具備專業(yè)的技術(shù)能力,能夠為客戶提供 -
聚焦離子束技術(shù)的歷史發(fā)展2024-12-05 15:32
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AEC-Q102特定組件的測試2024-12-05 15:31
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EBSD樣品制備技術(shù)的對比分析2024-12-05 15:29
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LED光源抗硫化實驗2024-12-04 12:40
在照明技術(shù)迅速發(fā)展的今天,LED光源憑借其高效率、耐用性和環(huán)境友好性,已成為市場上的主流選擇。盡管如此,LED光源在實際應(yīng)用中仍面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是硫化導(dǎo)致的變色問題,這不僅影響產(chǎn)品的外觀,更關(guān)鍵的是會降低光源的性能和壽命。金鑒實驗室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的第三方檢測機構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。測試方案方法一 -
氬離子拋光在電鏡樣品制備中的優(yōu)勢:超越FIB的大面積處理能力2024-12-04 12:39