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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(2)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集...
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用(1)
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集...
RDS(on)低至8.6mΩ,揚(yáng)杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在低壓領(lǐng)域MOSFET,SGT MOSFET由于其性...
2025-07-12 標(biāo)簽:MOSFET揚(yáng)杰科技 2174 0
Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1半橋驅(qū)動(dòng)器是堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè)...
2025-07-21 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器 29 0
TPS5410 5.5V 至 36V 輸入、1A、500kHz 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該TPS5410是一款高輸出電流PWM轉(zhuǎn)換器,集成了低電阻、高側(cè)N溝道MOSFET。在具有上述特性的基板上包括一個(gè)高性能電壓誤差放大器,可在瞬態(tài)條件下提...
2025-07-21 標(biāo)簽:MOSFETPWM降壓轉(zhuǎn)換器 127 0
TPS54354-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4.5V 至 20V 輸入、3A 輸出同步 Pwm 開(kāi)關(guān),帶集成 FET數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS5435x 是一款中等輸出電流同步降壓 PWM 轉(zhuǎn)換器,具有集成的高側(cè) MOSFET 和用于可選低側(cè)外部 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)器。特性包括一個(gè)...
LM25576 4.5V 至 42V、3A 降壓型 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該LM25576是一款易于使用的降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì)工程師使用最少的組件集來(lái)設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。該LM25576在 6 V 至 42 V 的輸入電壓范...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETemi開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 298 0
LM5576 6V 至 75V、3A 寬輸入電壓降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5576 是一款易于使用的 SIMPLE SWITCHER 降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的 使用最少組件的電源。在 6 - 75 V 的...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETemi降壓穩(wěn)壓器 324 0
LM5575 6V 至 75V、1.5A 寬輸入電壓降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5575 是一款易于使用的 SIMPLE SWITCHER? 降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì) 工程師使用最少的組件集設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。經(jīng)營(yíng) LM5575 ...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETemi降壓穩(wěn)壓器 338 0
LM5574 75V、0.5A 降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5574 是一款易于使用的降壓穩(wěn)壓器,允許設(shè)計(jì)工程師使用最少的組件集來(lái)設(shè)計(jì)和優(yōu)化穩(wěn)健的電源。LM5574 的輸入電壓范圍為 6V 至 75V,通過(guò)集...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETemi降壓穩(wěn)壓器 335 0
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可以并聯(lián) MULTICH_CONNECT_PCB SINK_FET_EN和SAFE_POWER_EN輸出來(lái)切換同一個(gè)MOSFET嗎?
標(biāo)簽:MOSFET 1363 1
CMT4080U 40V N溝道MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-07-12 標(biāo)簽:MOSFET 85 0
禾納AET3156AP P通道EpicMOST規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFET 84 0
AET3152AP常用P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 150 0
AET3152AP P溝道高級(jí)模式MOSFET規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 77 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 59 0
突圍進(jìn)行時(shí):功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)行到哪了?
隨著全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速,新能源汽車(chē)、人形機(jī)器人等產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長(zhǎng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)攀升。 中國(guó)作為全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),發(fā)展前景十分廣闊。...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 151 0
安世半導(dǎo)體CCPAK1212 MOSFET在線研討會(huì)回顧
近日,安世半導(dǎo)體在線研討會(huì)聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流...
2025-07-18 標(biāo)簽:MOSFETbms安世半導(dǎo)體 170 0
具身智能機(jī)器人,通常由多個(gè)子系統(tǒng)組成,而 MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,在多個(gè)子系統(tǒng)中扮演著核心角色。下面我們來(lái)拆解一下: 一、 具身智能機(jī)器人...
士蘭微榮獲2025中國(guó)創(chuàng)新IC創(chuàng)新突破獎(jiǎng)
此前,2025年7月11日-12日,“第五屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)”(ICDIA 創(chuàng)芯展)在蘇州成功召開(kāi)。大會(huì)期間,由中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新聯(lián)盟組織開(kāi)展...
聞泰科技連續(xù)四年榮膺德勤“中國(guó)卓越管理公司”
近日,第七屆中國(guó)卓越管理公司(BMC)榜單公布,聞泰科技憑借出色表現(xiàn)再次登榜,連續(xù)四年斬獲這一企業(yè)管理領(lǐng)域權(quán)威認(rèn)證,彰顯其卓越管理水平持續(xù)領(lǐng)跑行業(yè)。
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與...
集成了三個(gè)半橋、六個(gè)N溝道功率MOSFET的三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的工作原理基于電子換向技術(shù),通過(guò)實(shí)時(shí)檢測(cè)轉(zhuǎn)子位置并控制電流方向?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部包含位置傳感器(如霍爾傳感器)和功率電子器件...
2025-07-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 116 0
合科泰AO3401 MOSFET在電子醫(yī)療領(lǐng)域的卓越應(yīng)用
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,醫(yī)療電子設(shè)備正以前所未有的速度進(jìn)行革新。這些設(shè)備是電子、計(jì)算機(jī)、通信等前沿技術(shù)與醫(yī)學(xué)原理深度融合的結(jié)晶,廣泛涵蓋了診斷類(lèi)、治療...
2025-07-15 標(biāo)簽:MOSFET 136 0
RDS(on)低至8.6mΩ,揚(yáng)杰推出200V MOSFET Gen2.0系列
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 200V低壓MOSFET數(shù)據(jù)中心電源、BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,在低壓領(lǐng)域MOSFET,SGT MOSFET由于其性...
2025-07-12 標(biāo)簽:MOSFET揚(yáng)杰科技 2174 0
芯導(dǎo)科技攜前沿功率半導(dǎo)體解決方案亮相AMTS 2025
近日,芯導(dǎo)科技(Prisemi)攜前沿功率半導(dǎo)體解決方案,重磅登陸上海AMTS國(guó)際汽車(chē)制造技術(shù)與裝備展覽會(huì)具身智能展區(qū)。AMTS緊跟新能源汽車(chē)的發(fā)展趨勢(shì)...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 470 0
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