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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及,工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關損耗、功率密度等性能也隨之提高,傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰,S...
新基建推動5G通信與互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心雙線發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲及計算處理的需求激增,核心運算處理器的速度要求變高,運算量增多;如何為處理器提供高品質的穩(wěn)定電源輸出...
SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串擾。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功...
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點分析(視頻分析)
設計開關電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
什么是續(xù)流二極管,bldc中續(xù)流二極管的應用原理
在無刷直流電機(BLDC)中,續(xù)流二極管(Freewheeling Diode)通常用于提供一條繞過開關管(MOSFET)的低阻抗路徑,以允許電流繼續(xù)...
本文基于仿真和實驗方法,開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設計研究工作。通過溝槽深度,體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏,獲得了對擊穿電壓,閾值電壓...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
如何使用P/N溝道MOSFET構建通用全橋或H橋MOSFET驅動電路
在本文中,我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的...
便攜式電子產(chǎn)品以電池作為電源。隨著便攜式產(chǎn)品的迅猛發(fā)展,各種電池的用量大增,并且開發(fā)出許多新型電池。除大家較熟悉的高性能堿性電池、可充電的鎳鎘電池、鎳氫...
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