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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管(以下簡(jiǎn)稱MOS管)中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu),是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。
2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 9589 0
mos場(chǎng)效應(yīng)管一共幾種類型 MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是什么?
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下,MOSFET允許電流從漏極流過(guò)的性質(zhì)。
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見(jiàn)應(yīng)用
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9521 0
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開(kāi)始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候,很注重它的工作原理,后來(lái)到了實(shí)際應(yīng)用,就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)器件使用。直到前這幾天,接觸到MOSFET組成...
標(biāo)簽:三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī) 9513 0
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@碚摵蛯?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源igbt 9408 0
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí),該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 9398 0
多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么
當(dāng)在高速下控制高功率時(shí),有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí),最重要的是避免電流集中,包括過(guò)電流,并確保在所有可能的負(fù)載條...
恒壓恒流輸出的電源適配器樣機(jī)測(cè)試 思睿達(dá)TT5565SG+TT3006方案
01、樣機(jī)介紹 該 測(cè)試 報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機(jī),控制IC采用了思睿達(dá)的TT5565SG...
2021-08-24 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源管理 9383 0
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 9382 0
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬,以獲得一定的電流。
全橋逆變器是一種H橋逆變器拓?fù)?,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。轉(zhuǎn)換所需的元件是單相半橋逆變器所用元件的兩倍。全橋逆變器的電路由4個(gè)二極管和4個(gè)受控開(kāi)關(guān)組成,...
200W逆變器電路圖講解 使用IC和MOSFET的200W逆變器電路設(shè)計(jì)
想象一下,您想去一片沒(méi)有普通交流電源的森林。但有時(shí)您想使用電視或筆記本電腦或進(jìn)行電子維護(hù)工作。一個(gè)合適的替代方案是使用這個(gè) 200W 逆變器電路。
現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢(shì)是向著更高開(kāi)關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展,因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs
碳化硅有哪些優(yōu)勢(shì)?能應(yīng)用在那些方面
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流,但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。
焊盤上打孔的注意事項(xiàng)和防立碑現(xiàn)象的發(fā)生方法詳細(xì)介紹
一 在MOSFET的大型焊盤的背面打過(guò)孔時(shí)我們?yōu)榱烁纳芃OSFET的散熱,在MOSFET的焊盤上打過(guò)孔。那么
增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)
MOSFET是一種具有絕緣柵的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,主要用于放大或切換信號(hào)。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中,與BJT相比,MOSFET的使用頻率更高一些。
2022-09-20 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 9243 0
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