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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.1萬 0
在能量采集、辦公自動化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計中,超級電容器(supercapacitor)引起了設(shè)計團隊的關(guān)注。這些超級電容器電池具有高效存儲能力...
48V-12V雙電池電源系統(tǒng)正普通用于輕度混合動力電動車。車輛的動態(tài)工作條件可能需要在兩個電池軌道之間來回傳送高達10kW的電功率。由于移動車輛中的各種...
2018-03-12 標簽:MOSFET電機控制脈沖寬度調(diào)制 1.0萬 1
首先,要區(qū)分同步和非同步的概念。通俗一點:在應(yīng)用中上管和下管都有場效應(yīng)管的就是同步的。只有一個上管的開關(guān)就是非同步的,因為在非同步電源中,下管是一個二極...
由于繼電器的振動,MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時被破壞
當MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時,開關(guān)的開啟會導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機械開關(guān)的短暫時間,高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量...
自舉電路的基本拓撲結(jié)構(gòu)及驅(qū)動方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲能的電壓自舉電路通常是利用電容對電荷的存儲作用來實現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標簽:MOSFET拓撲結(jié)構(gòu)MOS 1.0萬 0
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.0萬 0
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當MOS用來做放大電路時,就是工...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1...
MOSFET知識點全集,初級工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMO...
2017-09-13 標簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬 0
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場...
2023-02-27 標簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.0萬 0
芯品# MPQ6653具有集成功率MOSFET和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機驅(qū)動器
MPQ6653-AEC1 是一款具有集成功率 MOSFET 和嵌入式霍爾傳感器的單相無刷直流 (BLDC) 電機驅(qū)動器。它具有5.5V 至 35V 的輸...
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級別,就有必要定義這種強大的功能(多虧了SOA)。
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
小信號MOSFET橋驅(qū)動設(shè)計MC34063擴流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號MOSFET橋驅(qū)動,后級功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動器 1.0萬 0
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