IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合而形成的器件。它具有低開關(guān)損耗、高輸入阻抗、低噪聲和高速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)，因此在各個領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用，如電力、軌道交通、電動汽車等。本文將詳細(xì)介紹IGBT如何選型以及選型時要考慮的參數(shù)。

IGBT如何選型

第一，IGBT的參數(shù)并不是一成不變的，所以不同的電路對其要求也是不一樣的，尤其是開關(guān)器件對于IGBT的要求各不相同，比如對其額定電壓的選擇就是有很大差異的，但是基本上都會要求其額定電壓要高于直流母線電壓的兩部，關(guān)于這一點(diǎn)，在選購IGBT的時候必須要清楚，并且根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

第二，不同功率的變頻器，其負(fù)載電流是不一樣的，但是由于負(fù)載電器啟動或者加速的是，其電流肯定是會過載的，比如在一分鐘的時間之內(nèi)很有可能需要承受1.5倍的過流，所以最大負(fù)載電流要比負(fù)載電流要高很多。

第三，變頻器的開關(guān)頻率一般小于10KHZ，而在實(shí)際工作的過程中，lGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT，以30KW，逆變頻率小于10kHz的變頻器為例，選擇IGBT的開關(guān)參數(shù)。

第四，影響IGBT的可靠性因素大概有兩個，一個是柵電壓，另一個就是Miller效應(yīng)。GBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關(guān)系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也略小。而為了降低Miller效應(yīng)的影響，在IGBT柵驅(qū)動電路中采用改進(jìn)措施的。

在選擇IGBT時需要考慮的參數(shù)

一、電壓等級

IGBT的電壓等級是選擇時的重要因素。一般而言，越高的電壓等級對應(yīng)的是更高的價格，但也能帶來更高的工作效率。因此，在選型時需要根據(jù)所需工作電壓來選擇適合的器件。

二、電流等級

電流等級是另一個重要的選型考慮因素。電流等級較高的IGBT通常具有更高的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，但也需要更大的散熱器和設(shè)計跡象的考慮。因此，在確定所需電流等級之前，需要對需要控制的電流進(jìn)行評估。

三、開關(guān)速度

IGBT的開關(guān)速度可以極大地影響整個系統(tǒng)的性能。因此，在選型時，需要考慮所需開關(guān)頻率和所需的上升時間和下降時間。在實(shí)際應(yīng)用中，需要根據(jù)實(shí)際需求來平衡開關(guān)速度和其他性能要求之間的關(guān)系。

四、環(huán)境溫度

環(huán)境溫度對IGBT的工作十分重要，因?yàn)楦邷貢?dǎo)致散熱不良，并降低器件壽命。因此，在選型時，需要考慮所需工作溫度的范圍，并選擇適合的散熱器來確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。