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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻,具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān),可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg...
2018-03-10 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源控制電路 1.3萬(wàn) 0
巧用Rigol_dl3021可編程電子負(fù)載設(shè)備拆解fpga控制器
想必大家對(duì)EEVBlog已經(jīng)不陌生了,有著豐富電子開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)的工程師Dave Jones在該網(wǎng)站上發(fā)布各種電子設(shè)備的拆解視頻,并對(duì)設(shè)計(jì)的一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)給出...
耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場(chǎng)景
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬(wàn) 0
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒(méi)有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。 然而在電力電...
深度分析IGBT基礎(chǔ)知識(shí)與運(yùn)用
IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件。
東芝的創(chuàng)新型雙面散熱MOSFET封裝DSOP Advance
電源系統(tǒng)中的主開(kāi)關(guān)器件是低電壓功率MOSFET,這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失,需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.3萬(wàn) 0
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能,不可忽視電源管理
不同的損耗導(dǎo)致頂側(cè)和底側(cè)MOSFET的加熱不同。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用分立MOSFET時(shí),可以嘗試這些不同的方法來(lái)平衡頂側(cè)和底側(cè)FET之間的溫度。
2018-03-02 標(biāo)簽:MOSFET電源管理CSD88584Q5DC 1.3萬(wàn) 0
深度圖片解析場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法
下面是對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET。可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS管...
2017-12-21 標(biāo)簽:mosfet場(chǎng)效應(yīng)管jfet 1.3萬(wàn) 0
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性更為重要,本文主要討論靜態(tài)特性。
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng),能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時(shí)在較高的擊穿電...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MDD100N03D 先進(jìn)Trench工藝N溝道的大電流低內(nèi)阻MOS
? 在智能家居和電動(dòng)工具領(lǐng)域,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率與可靠性直接決定了用戶體驗(yàn)。無(wú)論是洗地機(jī)的強(qiáng)勁動(dòng)力、掃地機(jī)器人的持久續(xù)航,還是電動(dòng)工具的高效作業(yè),都離不開(kāi)一...
MOSFET的驅(qū)動(dòng)
2018-08-23 標(biāo)簽:mosfetti驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路
結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計(jì),可在1.5V...
2018-01-08 標(biāo)簽:mosfet升壓電路驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 1
前言:不對(duì)稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過(guò)占空比調(diào)整半橋開(kāi)關(guān)的高端開(kāi)關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制,通過(guò)使用占空比調(diào)節(jié)方...
這個(gè)要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對(duì)于高密度的產(chǎn)品是非常常見(jiàn)的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...
2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計(jì) 1.2萬(wàn) 0
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