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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5710個 瀏覽：220453次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

      既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

      既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

      三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認(rèn)為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

      2025-01-02 標(biāo)簽：三極管電流MOSFET 1.6萬 0

      IGBT的替換、保存及使用注意事項說明

      由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價格較高，故代換IGBT管時，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型...

      2018-10-12 標(biāo)簽：mosfet晶體管電子器件 1.6萬 0

      逆變器電路圖分享 基于PWM IC TL494的逆變器電路設(shè)計

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      非常簡單但高度復(fù)雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設(shè)計的部件數(shù)量極其經(jīng)濟，而且高效且準(zhǔn)確。

      2023-08-10 標(biāo)簽：電路圖MOSFET正弦波 1.6萬 0

      深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式

      深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式

      本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式，該吸 收器電路可以避免電壓偏移，特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗，還具有多種其他優(yōu)...

      2019-01-14 標(biāo)簽：MOSFET諧振器電流吸收器 1.6萬 1

      IGBT的工作原理及基本特性

      IGBT的工作原理及基本特性

      　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

      2022-10-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.5萬 0

      SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

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      當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。

      2023-06-07 標(biāo)簽：芯片MOSFETJFET 1.5萬 0

      MOS失效的原因分析總結(jié)

      到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...

      2018-05-06 標(biāo)簽：二極管MOSFETMOS管 1.5萬 0

      從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式

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      本文從MOSFET的工作原理入手，詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項，希望能夠提高大家對MOSFET的認(rèn)識。詳細(xì)介紹請看原文：MOSFET的原意...

      2013-07-31 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管 1.5萬 2

      IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶...

      2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.5萬 0

      MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后，MOS管為什么會炸管？原因分析

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      MOSFET炸管也有三大原因，電壓，電流，溫度，比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過了最大極限值，或者MOSFET的漏源極電流超過了最大極限值，或者MO...

      2024-11-15 標(biāo)簽：MOSFET電容電路設(shè)計 1.5萬 1

      一個約100Ω的電阻，為何在MOSFET柵極前？

      一個約100Ω的電阻，為何在MOSFET柵極前？

      只要問任何經(jīng)驗豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么，你很可能會聽到“一個約 100 Ω 的電阻”。

      2018-04-16 標(biāo)簽：MOSFET增益LTC2063 1.5萬 0

      反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析

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      大家都知道這個尖峰是開關(guān)MOS開通的時候出現(xiàn)的，根據(jù)反激回路，Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過MOS再到Vbus形成回路。

      2018-01-25 標(biāo)簽：mosfet電源管理 1.5萬 1

      場效應(yīng)管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

      根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。

      2017-08-04 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管 1.5萬 0

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      常見的MOS管驅(qū)動方式有非隔離的直接驅(qū)動、自舉驅(qū)動，和有隔離的變壓器驅(qū)動、光耦隔離驅(qū)動等。

      2017-08-30 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動電路 1.5萬 0

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      本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制（PWM）發(fā)生器控制的開關(guān)電源，適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實驗通過光耦實現(xiàn)輸出和輸入的隔離，不僅提高了電源的...

      2017-12-02 標(biāo)簽：MOSFET光耦合器TL431 1.5萬 0

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      逆變器是一種將直流電能（電池、蓄電瓶）轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電（一般為220V，50Hz正弦波）的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成，廣泛...

      2024-01-09 標(biāo)簽：電路圖MOSFET太陽能 1.5萬 0

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      BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。

      2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET電壓源VDS 1.5萬 1

      PWM控制芯片的驅(qū)動能力及工作可靠性

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      　功率MOSFET在開關(guān)過程中，在米勒平臺線性區(qū)，由于VGS保持不變，相當(dāng)于使用恒流源進行驅(qū)動，其它的時間段，使用恒壓源進行驅(qū)動。VGS電壓變化時，和時...

      2022-06-23 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器PFC控制器 1.5萬 0

      mt3608升壓模塊輸出升不上去（mt3608升壓模塊電路圖）

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      MT3608是一個小封裝SOT23，引間距離是0.95MM的升壓集成芯片，它應(yīng)用在是小封裝，低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達到...

      2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET功率電路集成芯片 1.4萬 0

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      大多數(shù)電子元器件都需要一個來自AC電力線的輸入電源。對于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說，一個全橋或半橋二極管整流器器件對正弦AC電壓波形...

      2018-07-02 標(biāo)簽：二極管MOSFET電壓 1.4萬 0

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      • IOT
        IOT
        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
      • STM32單片機
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        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        Nexperia
        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
      • 步進驅(qū)動器
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        +關(guān)注
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      • COMSOL
        COMSOL
        +關(guān)注
        COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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        加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        基站測試
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      • SDK
        SDK
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        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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