SiCmosfet三相全橋逆變電路中,同一橋臂上下功率器件容易受器件寄生參數(shù)的影響而互相產(chǎn)生干擾,該現(xiàn)象稱為橋臂串?dāng)_。這種現(xiàn)象容易造成橋臂直通或者燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT相比,SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相對(duì)較低,橋臂串?dāng)_問題更加突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數(shù)的影響下。
1)開通過程
2)關(guān)斷過程
串?dāng)_電壓分析:
抑制方法:
1)AMC;
2)驅(qū)動(dòng)電源穩(wěn)負(fù)壓;
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