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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-03-31 標(biāo)簽:電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場(chǎng)調(diào)研
隨著電動(dòng)汽車的快速發(fā)展,充電樁作為電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)越來(lái)越受到中央和地方政府的重視,對(duì)充電樁電源模塊的要求也越來(lái)越高,充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
2023-03-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOS管PFC 1.3萬(wàn) 0
IR21814后面接推挽放電電路。不同的是,為了MOS管的可靠關(guān)斷,在推挽后面增加負(fù)壓電路,C338/D318和C340/D322。當(dāng)DCPWM1A輸入...
2023-03-28 標(biāo)簽:MOS管工作原理驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0
共8種工作模式,4種輸入,1.輸入浮空模式2.輸入上拉模式 3.輸入下拉模式4.模擬輸入模式 4種輸出模式:開漏輸出、開漏復(fù)用功能、推挽輸出、推挽復(fù)用輸...
2020-10-18 標(biāo)簽:MOS管晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1.3萬(wàn) 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻并聯(lián)二極管的作用
今天學(xué)習(xí)LED開關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 標(biāo)簽:led二極管開關(guān)電源 1.2萬(wàn) 0
IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
mos管旁邊并以二極管是防止場(chǎng)效應(yīng)管反向擊穿而設(shè)置的。
2023-02-21 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)管和三極管相同點(diǎn)、區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)管主要分兩個(gè)種類,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管我連見都沒有見過(guò),更不要說(shuō)應(yīng)用了,所以就不說(shuō)了。金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管就是我們常...
2022-12-09 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對(duì)電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號(hào)對(duì)G-S結(jié)電容充電,這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長(zhǎng)時(shí)間。
2022-12-21 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2萬(wàn) 0
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計(jì)技巧
設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測(cè),總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解?
由于無(wú)橋PFC拓?fù)渲饕獮樘岣咝剩ㄊ〉袅苏鳂蚣捌鋼p耗),但相對(duì)傳統(tǒng)Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二極管多一倍)、控制(相對(duì)復(fù)雜)和EM...
不同Vt cell工藝是怎么實(shí)現(xiàn)的?閾值電壓和哪些因素有關(guān)系?
Vt指的是MOS管的閾值電壓(threshold voltage)。具體定義(以下圖NMOS為例):當(dāng)柵源電壓(Vgs)由0逐漸增大,直到MOS管溝道形...
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