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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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PDN阻抗是從負(fù)載端看過(guò)去的電源分配網(wǎng)絡(luò)的阻抗,PDN阻抗要小于目標(biāo)阻抗,這些概念對(duì)于做電源完整性的人來(lái)說(shuō)再熟悉不過(guò)了,網(wǎng)上也有大量的文檔介紹,但是很多...
一文簡(jiǎn)析TC3xx Rest/Clock/Watch模塊
在時(shí)鐘系統(tǒng)部分主要介紹時(shí)鐘源選擇,PLL倍頻配置,時(shí)鐘分發(fā)等內(nèi)容。在看門(mén)狗模塊部分主要介紹了開(kāi)門(mén)狗復(fù)位的觸發(fā)路徑,看門(mén)狗模塊的工作原理,CPU EndI...
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí),就是工...
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開(kāi)始下降,但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.0萬(wàn) 0
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.0萬(wàn) 0
一文講透MOS管,從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用
MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,屬于絕緣柵型,本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2023-03-28 標(biāo)簽:二極管場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.0萬(wàn) 0
九種簡(jiǎn)易MOS管開(kāi)關(guān)電路圖
電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成,電路非常簡(jiǎn)單。
2023-06-25 標(biāo)簽:電路圖開(kāi)關(guān)電路MOS管 1.0萬(wàn) 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
在共源放大器和源跟隨器中,輸入信號(hào)都是加在MOS管的柵極。我們也可以把輸入信號(hào)加在MOS管的源端。共漏級(jí)在源端接受輸入,在漏端產(chǎn)生輸出。柵極接一個(gè)直流電...
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求
mos管因?yàn)閮?nèi)阻低,開(kāi)發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-12-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬(wàn) 2
電流鏡的作用是無(wú)論外輸入電壓遇到波動(dòng)還是大范圍變化,電流鏡的輸出電流總保持不變。Q1和Q2均工作在飽和區(qū),且具有相等的柵源電壓的相同晶體管傳輸相同電流,...
2022-07-18 標(biāo)簽:放大器放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 9964 0
前幾期曾經(jīng)講過(guò),對(duì)封裝后的芯片進(jìn)行CDM測(cè)試,大量非平衡載流子會(huì)通過(guò)金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一,恰宜的封裝能大幅度提升芯...
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法
MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類。
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏...
2022-09-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管柵極電阻 9836 0
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