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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在嵌入式軟件開發(fā)中，經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置；如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂，那么在開發(fā)中遇到問題，你就很難初步判定是硬件的問題，還是軟件配...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬M(fèi)OS管（Metal-Oxide-Se...
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？，這個(gè)屬于比較細(xì)節(jié)的問題，在面試中基本不會(huì)遇到，但是今天討論的這個(gè)問題還是很有可能碰到的。
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
首先說一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...
采用六步換相法實(shí)現(xiàn)直流無刷電機(jī)的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)
主控板STM32F302R8+驅(qū)動(dòng)板X-NUCLEO-IHM07M1+直流無刷電機(jī)WR36BL61，采用六步換相法實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。
2023-05-24 標(biāo)簽：MOS管STM32正反轉(zhuǎn) 1.1萬 0
一文解析NMOS管的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型
NMOS管，其電路模型可分為大信號(hào)模型和小信號(hào)模型。
針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案
通過對(duì)PFC MOS管進(jìn)行測(cè)試和深入分析發(fā)現(xiàn)，MOS管的寄生參數(shù)對(duì)振蕩起著關(guān)鍵作用。
MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號(hào)規(guī)則的詳細(xì)資料概述
隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識(shí)。
耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么？有什么區(qū)別？
耗盡型 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下，施加?xùn)艠O到源極電壓 （VGS） 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí)，正電荷會(huì)在通道中累積。這會(huì)導(dǎo)致溝道中的耗...
在上一篇文章中我們聊了“Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？”這個(gè)問題，并得出Rdson對(duì)應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過程中，提到了Vgs對(duì)MOS管...
張飛帶你學(xué)硬件--三極管/MOS管/運(yùn)放/電路設(shè)計(jì)
放專題講解，重點(diǎn)講解了運(yùn)放的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，幫助深入理解運(yùn)放的工作原理。
如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時(shí)的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。
2023-05-30 標(biāo)簽：電容器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.1萬 0
MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...
2023-03-23 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬 0
方案名稱：景觀燈共陽極恒流IC，投光燈恒流IC，泛光燈恒流IC，2.4GLED控制方案觸摸RGBW調(diào)光恒流IC，共陽極洗墻燈恒流IC，低電壓電源燈具恒流...
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解
一般情況下，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比...
二、灌流電路 1、MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用的特殊驅(qū)動(dòng)電路； 灌流電路MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優(yōu)點(diǎn)，但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí)，由于MOS管...
2021-03-25 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電源電路MOS管 1.1萬 0
MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高...
MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOSMOS管放入...
對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)
到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...
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