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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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OC門(mén)，又稱集電極開(kāi)路(漏極開(kāi)路)與非門(mén)門(mén)電路，Open Collector(Open Drain)。
2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管三態(tài)門(mén)OC門(mén) 1.6萬(wàn) 0
上圖是一個(gè)限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時(shí)，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達(dá)到閾值時(shí)，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定
2023-06-18 標(biāo)簽：三極管穩(wěn)壓二極管MOS管 1.6萬(wàn) 0
利用電容，三極管，MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)簡(jiǎn)單的延時(shí)斷電控制電路。
DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結(jié)構(gòu)式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。D...
按鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路圖 按鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路設(shè)計(jì)方案
最近做個(gè)基于STM32腦波檢測(cè)的項(xiàng)目，甲方爸爸要求使用按鍵進(jìn)行開(kāi)關(guān)機(jī)。在網(wǎng)上查了一些資料，找到了很多案例分享，在此進(jìn)行總結(jié)。
GPIO 是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱，是 STM32 可控制的引腳。GPIO 的引腳與外部硬件設(shè)備連接，可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)...
反激式開(kāi)關(guān)電源元件參數(shù)選型(二)
MOS管導(dǎo)通時(shí)電流大,斷開(kāi)時(shí)電流小.我們一般說(shuō)MOS管要慢開(kāi)快關(guān),這只是一個(gè)定性說(shuō)法,要注意一度的問(wèn)題,不是開(kāi)通越慢越好,關(guān)斷越快越好.
Rds(ON)是MOSFET工作（啟動(dòng)）時(shí)，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路電路圖 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作原理和控制方式
H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路是一種廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制領(lǐng)域的電子電路，其名稱來(lái)源于其形狀類似于英文字母“H”的電路布局。H橋電路主要用于控制直流電機(jī)（包括有刷直流電機(jī)...
2024-06-21 標(biāo)簽：電路圖MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.6萬(wàn) 0
同步：同步整流是采用導(dǎo)通電阻極低的專用功率MOS，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗。它能大大提高DC-DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成...
緩啟動(dòng)電路的工作原理、實(shí)例分析與應(yīng)用
通信產(chǎn)品一般采用分散供電方式，各單板上采用DC/DC模塊將-48V電源轉(zhuǎn)換為其所需的5V、3.3V、2.5V等子電源。由于輸入電壓高，電源電路中又存在用...
防反接保護(hù)電路圖 防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。
利用的都是MOS管的米勒平臺(tái)效應(yīng)，分為NMOS和PMOS兩種，一般的NMOS用在接地端，PMOS用在電源的正端，這是由與他們的開(kāi)啟電壓不同造成的，以...
MOS管作為開(kāi)關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。
2019-06-25 標(biāo)簽：MOS管開(kāi)關(guān)特性 1.5萬(wàn) 0
MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...
2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.5萬(wàn) 0
到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式...
在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見(jiàn)的電子器件就是常見(jiàn)的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見(jiàn)的元器件，但是在一些相對(duì)較高電流的...
為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢？什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢？
假設(shè)知道了Id,Vgs-vth，但發(fā)現(xiàn)，廠家給的工藝文件里，并沒(méi)有直接給出un和Cox的值，還是沒(méi)有辦法計(jì)算出管子的W和L值。
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算（所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
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