BUCK電路中的同步整流與非同步整流

現(xiàn)在的buck電路大多數(shù)用的集成芯片，你可以發(fā)現(xiàn)基本看不到開(kāi)關(guān)管、二極管的身影，只能看到電感。一方面這樣集成了占用PCB面積更小，一方面芯片內(nèi)部集成了M...

2022-04-12 標(biāo)簽：MOS管同步整流buck電路 1.5萬(wàn) 0

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。

2023-10-18 標(biāo)簽：可控硅晶閘管MOS管 1.5萬(wàn) 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡(jiǎn)析

PMOS管做開(kāi)關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過(guò)幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管體二極管高電平 1.5萬(wàn) 0

MOS管設(shè)計(jì)知識(shí)：傳輸管TG的原理及組合邏輯延時(shí)分析

由兩個(gè)鎖存器和中間一個(gè)存儲(chǔ)單元（一般是首尾相連的反相器）組成。鎖存器的鎖存時(shí)間相反，輸入端鎖存器打開(kāi)時(shí)存入數(shù)據(jù)，鎖存時(shí)讀出數(shù)據(jù)。

2020-09-07 標(biāo)簽：CMOSMOS管反相器 1.5萬(wàn) 0

一文解析如何消除mos管的GS波形振蕩

對(duì)于電源工程師來(lái)講，我們很多時(shí)候都在波形，看輸入波形，MOS開(kāi)關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開(kāi)關(guān)GS波形為例來(lái)聊...

2018-12-21 標(biāo)簽：MOS管 1.5萬(wàn) 2

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)三極管和MOS管

三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱(chēng)為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被...

2024-01-04 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體MOS管 1.5萬(wàn) 0

高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)原理解析

在進(jìn)行電流采樣，開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)時(shí)候不免會(huì)遇到高低端的問(wèn)題，一直也沒(méi)有很清楚的搞明白（其實(shí)之前做東西的時(shí)候高低端是有感覺(jué)的，但是沒(méi)有完全搞明白），看了網(wǎng)上...

2023-09-20 標(biāo)簽：電源開(kāi)關(guān)電路MOS管 1.5萬(wàn) 0

MOS管簡(jiǎn)介:PART–0基礎(chǔ)知識(shí)

導(dǎo)電溝道剛剛形成的時(shí)候那個(gè)正偏電壓Vgs，稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vgs（th）（或稱(chēng)為“閾值電壓”）；Vgs大于Vgs（th）的這一段電壓區(qū)間，稱(chēng)為可變電阻區(qū)，M...

2018-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管 1.4萬(wàn) 1

穩(wěn)壓二極管的工作原理 基于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路圖

簡(jiǎn)單的說(shuō)，穩(wěn)壓二極管其實(shí)就是利用二極管反向擊穿后在繼續(xù)增加電流的情況下二極管兩端電壓保持不變特性制成的二極管。就普通二極管而言反向擊穿不可恢復(fù)，穩(wěn)壓二極...

2023-08-03 標(biāo)簽：三極管二極管電路圖 1.4萬(wàn) 0

HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析

MOS管導(dǎo)通的實(shí)質(zhì)是對(duì)GS結(jié)電容充電，在上圖所示的原理圖我在G級(jí)串聯(lián)一個(gè)電阻是為了限制充電速度，防止充電過(guò)快產(chǎn)生震蕩。

2020-09-09 標(biāo)簽：二極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬(wàn) 1

MOS管的工作原理，不做到這五點(diǎn)就不能叫MOS管？

在轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)上，gm 是曲線(xiàn)在某點(diǎn)上的斜率，也可由iD的表達(dá)式求導(dǎo)得出，單位為 S 或 mS。（6） 最大漏極電流 IDM（7） 最大漏極耗散功率 P...

2017-05-09 標(biāo)簽：電阻電容mos管 1.4萬(wàn) 0

怎么去選擇使用gm的三種表達(dá)式呢？

我們?cè)趯?xiě)跨導(dǎo)gm的表達(dá)式時(shí)，知道gm有三種表達(dá)式。表達(dá)式含有的變量其實(shí)只有三個(gè)，一個(gè)W/L，一個(gè)Vgs-Vth，還有一個(gè)Id。

2023-09-17 標(biāo)簽：MOS管變量 1.4萬(wàn) 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.4萬(wàn) 0

什么是軟開(kāi)關(guān)？為什么選用LLC諧振拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)？

本文主要參考楊波博士的論文《Topology Investigation for Front End DC/DC Power Conversion fo...

2023-12-03 標(biāo)簽：MOS管軟開(kāi)關(guān)LLC 1.4萬(wàn) 0