mos管基本參數(shù)

　　Coss：輸出電容Coss=CDS+CGD。

　　Ciss：輸入電容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。

　　Tf：下降時(shí)刻。輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時(shí)刻。

　　Td（off）：關(guān)斷延遲時(shí)刻。輸入電壓下降到90%開端到VDS上升到其關(guān)斷電壓時(shí)10%的時(shí)刻。

　　Tr：上升時(shí)刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)刻。

　　Td（on）：導(dǎo)通延遲時(shí)刻。從有輸入電壓上升到10%開端到VDS下降到其幅值90%的時(shí)刻。

　　Qgd：柵漏充電（考慮到Miller效應(yīng)）電量。

　　Qgs：柵源充電電量。

　　Qg：柵極總充電電量。

　　mos管動(dòng)態(tài)參數(shù)

　　IGSS：柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流。由于MOSFET輸入阻抗很大，IGSS通常在納安級(jí)。

　　IDSS：飽滿漏源電流，柵極電壓VGS=0、

　　VDS為必定值時(shí)的漏源電流。通常在微安級(jí)。

　　VGS（th）：敞開電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O操控電壓VGS超越VGS（th）時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接前提下ID即是毫安時(shí)的柵極電壓稱為敞開電壓。此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所下降。

　　RDS（on）：在特定的VGS（通常為10V）、結(jié)溫及漏極電流的前提下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）。故應(yīng)以此參數(shù)在最高作業(yè)結(jié)溫前提下的值作為損耗及壓降計(jì)算。

　　Tj：漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，通常為0.1V/℃。

　　mos管靜態(tài)參數(shù)

　　TSTG：存儲(chǔ)溫度范圍。

　　Tj：最大作業(yè)結(jié)溫。通常為150℃或175℃，器材規(guī)劃的作業(yè)前提下須確應(yīng)防止超越這個(gè)溫度，并留有必定裕量。（此參數(shù)靠不?。?/p>

　　VGS：最大柵源電壓。，通常為：-20V~+20V

　　PD：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應(yīng)管機(jī)能不變壞時(shí)所容許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有必定余量。此參數(shù)通常會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。（此參數(shù)靠不?。?/p>

　　IDM：最大脈沖漏源電流。表現(xiàn)一個(gè)抗沖擊才能，跟脈沖時(shí)刻也有聯(lián)系，此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

　　ID：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常作業(yè)時(shí)，漏源間所容許經(jīng)過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的作業(yè)電流不應(yīng)超越ID。