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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(SiC)是化合物半導體材料之一,具有獨特的材料性能。例如,它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...
碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
離子注入是一種向半導體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì),以改變其電學性能的方法,可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。
開關(guān)器件在運行過程中存在短路風險,配置合適的短路保護電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2790 0
交流充電樁:本質(zhì)是一個帶控制的插座,主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)較為簡單,需要車載充電機自己進行變壓...
碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,...
2023-04-13 標簽:轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 2746 0
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應用最廣泛、...
鋁碳化硅復合材料是一種由鋁、碳和硅組成的復合材料,具有良好的力學性能、耐腐蝕性和耐熱性,可用于制造航空航天、汽車、電子、化工等行業(yè)的零部件。
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健...
高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一種,屬于第三代半導體材料的應...
碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應用的潛力
紫外(UV)光譜可分為UV-A(315~400?nm)、UV-B(280~315?nm)和UV-C(200~280?nm)頻段。由于敏感光譜帶寬很寬,因...
2022-11-03 標簽:帶寬碳化硅CMOS技術(shù) 2638 0
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù),人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應用下運行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度,使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導體要到2025年才開始推出。
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