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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50465次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

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      800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V，取中間值400V，籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng)；而伴...

      2023-05-31 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 4000 0

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

      深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

      SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

      2024-04-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 3989 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

      2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 3937 0

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

      2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管 3928 0

      銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

      作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

      2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3926 0

      碳化硅和晶體硅誰的熔點(diǎn)高

      1.碳化硅和晶體硅的熔點(diǎn)比較，碳化硅的熔點(diǎn)更高。 具體來說，碳化硅的熔點(diǎn)大于2700℃，并且其沸點(diǎn)高于3500℃。而晶體硅的熔點(diǎn)則為1410℃（也有資料...

      2024-08-08 標(biāo)簽：金屬晶體硅碳化硅 3906 0

      終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

      終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

      在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，集成功率模塊(IPM，IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能，廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

      2024-08-09 標(biāo)簽：功率模塊IPM碳化硅 3893 0

      碳化硅MOSFET的工作原理 與igbt相比的差別

      　碳化硅MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一種半導(dǎo)體器件，它的工作原理...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 3884 0

      基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

      基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

      工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

      2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾SiC氮化鎵 3875 0

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

      相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

      2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 3833 0

      碳化硅MOSFET概述、特性及應(yīng)用

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：二極管MOSFET濾波器 3832 0

      車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機(jī)，給車載動(dòng)力電池進(jìn)行慢...

      2022-07-20 標(biāo)簽：SiC碳化硅OBC 3792 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

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      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 3753 0

      什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？

      什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？

      如今，功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉，而且該技術(shù)廣為人知。

      2023-11-25 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3732 0

      碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...

      2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3730 0

      碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

      碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

      2023-02-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 3712 0

      什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

      SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

      2024-04-18 標(biāo)簽：SiC熱處理碳化硅 3705 0

      碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

      碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛...

      2023-06-04 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體器件碳化硅 3690 0

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn)，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

      2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3608 0

      什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

      碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3591 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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