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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

氮化鋁的研究歷史、特征及應(yīng)用

近幾年，碳化硅作為一種無機(jī)材料，其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論，它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外，因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢受到其...

2022-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻陶瓷材料 3178 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 3170 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計(jì)算的概念越來越流行，數(shù)據(jù)量越來越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅 SiC MOSFET 3164 0

特斯拉的三電核心技術(shù)技術(shù)分析

特斯拉車型采用CTC技術(shù)后，續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。

2023-03-31 標(biāo)簽：動力電池逆變器特斯拉 3136 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3104 0

寬禁帶半導(dǎo)體概述碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3101 0

碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析：材料特性：碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 3075 0

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 3069 0

SiC外延層的缺陷控制研究

探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 3036 0

碳化硅技術(shù)特性與應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍，保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性，減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。

2023-02-15 標(biāo)簽：碳化硅 sic器件 3006 0

三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊

該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，額定的最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強(qiáng)...

2020-06-12 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 電機(jī)驅(qū)動 2980 0

碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢

光伏，電動汽車，儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。

2022-08-01 標(biāo)簽：功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2968 0

不同類型二極管的關(guān)斷行為

近年來，半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬，如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性，如高能量帶隙(eV)，高臨界擊穿場強(qiáng)(MV/cm)和...

2022-10-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 2965 0

電子設(shè)備越來越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡(luò)容易產(chǎn)生問題。為緩解這些問題，電源設(shè)計(jì)需要先進(jìn)的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來滿足嚴(yán)格...

2023-08-02 標(biāo)簽：功率因數(shù)PFC SiC 2961 0

碳化硅在新能源車中的主要應(yīng)用

新能源汽車的加速性能與動力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關(guān)，碳化硅（SiC）技術(shù)允許驅(qū)動電機(jī)在低轉(zhuǎn)速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導(dǎo)致的熱效應(yīng)和...

2023-06-27 標(biāo)簽：新能源汽車驅(qū)動器 SiC 2960 0

100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

摘要：隨著人們環(huán)保意識的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

2024-01-19 標(biāo)簽：逆變器 IGBT 晶體管 2914 0

探秘功率二極管反向恢復(fù)抑制的三大法寶

為解決功率二極管反向恢復(fù)問題已經(jīng)出現(xiàn)了很多種方案。一種思路是從器件本身出發(fā)，尋找新的材料力圖從根本上解決這一問題，比如碳化硅二極管的出現(xiàn)帶來了器件革命的...

2024-03-27 標(biāo)簽：二極管功率二極管 emi 2904 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵電子開關(guān) 2901 1

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2890 0

碳化硅在電動汽車的應(yīng)用方案

碳化硅 (SiC) 是一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同...

2022-07-27 標(biāo)簽：電動汽車英飛凌碳化硅 2871 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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