%。 ? 成本占比較高的原因,主要是碳化硅單晶材料的制備難度較大。硅由于存在液體形態(tài),所以可以通過垂直拉伸來形成晶棒,但碳化硅本身屬于化合物,無法直接熔融結(jié)晶成為晶體。換個(gè)說法就是碳化硅在常壓下沒有液體形態(tài),只有氣態(tài)和固態(tài),達(dá)到
2024-01-21 07:48:00
1672 碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用,處理此類應(yīng)用的唯一
方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種
材料,可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
作用下的界面完整性;此項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)對(duì)碳化硅功率模塊而言很苛刻,尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT(高溫蒸煮測試) 高溫蒸煮測試是把被測對(duì)象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境中,考驗(yàn)晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅(SiC)即使在高達(dá)1400℃的溫度下,仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來,低碳生活也是隨之而來,隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料,碳化硅的銷售市場也是十分火爆,許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性,開始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來,直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
用化學(xué)沉淀法在活性炭(AC)表面和微孔內(nèi)摻雜不同量的氫氧化鎳,制備了氫氧化鎳-活性炭[Ni(OH)2-AC]復(fù)合材料.用X射線衍射(XRD)和氮?dú)馕降葴鼐€等對(duì)活性炭和復(fù)合材料進(jìn)行表征,結(jié)果表明,所
2011-03-11 11:45:56
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
,從而能夠改善應(yīng)用終端的性能和效率,并且比碳化硅材料要好得多,因此,可以大規(guī)模生產(chǎn)?,F(xiàn)在,研究和開發(fā)人員正致力于收集有關(guān)的資料來驗(yàn)證以上的結(jié)論。森勇介教授,日本大坂大學(xué),在以上研究和開發(fā)活動(dòng)中
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾,都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn),強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
降低到75%?! ”?2:SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此,可以提高性價(jià)比,并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì),使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54
的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2 圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管?! ‘?dāng)T2開通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是,這些方法會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時(shí),只需在柵極和源極之間增加一個(gè)二極管電壓鉗位即可解決這一難題?! ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
SiC材料,而且 R 值大,在熱循環(huán)中更不容易斷裂,也是一種適合碳化硅器件高溫工作的絕緣材料,但其λ值較低,而且成本很高,限制了其廣泛的應(yīng)用。為提高陶瓷基板覆銅層的可靠性,覆鋁陶瓷板(DBA)以及活性
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
板的主流工藝是:爆炸復(fù)合法,爆炸軋制法。爆炸復(fù)合法生產(chǎn)的復(fù)合材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于石油、化工、造船、電子、電力、冶金、機(jī)械、航空航天、原子能等工業(yè)領(lǐng)域 。 `
2020-07-01 08:29:59
`銅鋁復(fù)合板的主流工藝是:復(fù)合法,壓軋制法。復(fù)合法生產(chǎn)的復(fù)合材料已經(jīng)廣泛應(yīng)用于石油、化工、造船、電子、電力、冶金、機(jī)械、航空航天、原子能等工業(yè)領(lǐng)域 。產(chǎn)品特點(diǎn):復(fù)合強(qiáng)度高,可以進(jìn)行折彎、鉆孔、沖壓等
2019-03-12 14:38:56
提出了一種制備包覆雙金屬復(fù)合材料的新工藝.即充芯連鑄法制備包覆雙金屬復(fù)合材料的工藝。試驗(yàn)研究了包鋁雙金屬棒制備的工藝, 分析了銅包鋁雙金屬棒的外觀、斷面和界面。
2009-07-07 08:41:39
18 復(fù)合材料拉伸試驗(yàn)機(jī) 材料力學(xué)性能的檢測是工業(yè)生產(chǎn)、質(zhì)量控制以及科學(xué)研究等領(lǐng)域中非常重要的環(huán)節(jié)。復(fù)合材料是由兩種或兩種以上不同性質(zhì)的材料,通過物理或化學(xué)的方法結(jié)合而成的具有新性能的材料。對(duì)于
2023-09-18 09:59:15
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:49
1240 鋁碳化硅AlSiC(有的文獻(xiàn)英文所略語寫為SiCp/Al或Al/SiC、SiC/Al)是一種顆粒增強(qiáng)金屬基復(fù)合材料,采用Al合金作基體,按設(shè)計(jì)要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作增強(qiáng)體,構(gòu)
2011-11-22 17:44:05
55 碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:50
17 蒙脫土_碳化硅微納米復(fù)合體系防電暈漆的研究_胡春秀
2017-01-08 13:15:48
0 金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:48
19904 復(fù)合材料是人們運(yùn)用先進(jìn)的材料制備技術(shù)將不同性質(zhì)的材料組分優(yōu)化組合而成的新材料。復(fù)合材料是一種混合物。在很多領(lǐng)域都發(fā)揮了很大的作用,代替了很多傳統(tǒng)的材料。復(fù)合材料按其組成分為金屬與金屬復(fù)合材料、非金屬與金屬復(fù)合材料、非金屬與非金屬復(fù)合材料。
2019-06-03 17:36:26
26951 復(fù)合材料是由金屬材料、陶瓷材料或高分子材料等兩種或兩種以上的材料經(jīng)過復(fù)合工藝而制備的多相材料,各種材料在性能上互相取長補(bǔ)短,產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng),使復(fù)合材料的綜合性能優(yōu)于原組成材料而滿足各種不同的要求。
2019-06-03 17:38:51
7232 碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。
2020-10-02 18:20:00
12091 
目前碳化硅單晶的制備方法主要有:物理氣相傳輸法(PVT);頂部籽晶溶液生長法(TSSG);高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。其中TSSG法生長晶體尺寸較小目前僅用于實(shí)驗(yàn)室生長,商業(yè)化的技術(shù)路線主要
2020-11-20 10:53:36
32886 
制備鋁基復(fù)合材料的方法主要分為三類固態(tài)制造法、液態(tài)制造法和原位合成法。
2021-01-14 15:11:40
7188 
碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:40
5267 溶液共混法(包括膠乳混合法)由于不需要很高的溫度,避免了高溫混合使石墨烯團(tuán)聚的問題,能保證石墨烯在復(fù)合材料中較均勻分散(前提是選擇適合的溶劑),在石墨烯/聚合物復(fù)合材料的制備中較常用。
2022-08-15 09:28:19
2242 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:02
1981 對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,屬于第三代半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度高達(dá)3.0eV,相比第一代半導(dǎo)體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:09
2602 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:41
1859 
碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:16
3637 
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:35
2997 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:13
3953 碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
933 汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料,具有良好的機(jī)械性能和耐熱性。碳化硅技術(shù)的原理是,將碳原子和硅原子結(jié)合在一起,形成一種新的復(fù)合材料,具有良好的機(jī)械性能和耐熱性。
2023-02-15 14:21:06
1453 電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機(jī)的成本。
2023-02-16 17:54:00
4556 。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強(qiáng)度和模量確實(shí)優(yōu)于氮化硅晶須,但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強(qiáng)度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,被認(rèn)為是增強(qiáng)金屬和陶瓷材料的理想增強(qiáng)組元。
2023-02-21 09:13:47
0 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:11
1693 
介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結(jié)構(gòu),晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:48
17 3.14億美元,2019—2025年復(fù)合增長率為17%。同時(shí),光伏組件功率密度的持續(xù)提升,也對(duì)碳化硅器件性能提出了更高的要求。 要抓住光伏帶來的市場機(jī)遇,碳化硅廠商還需要在產(chǎn)品綜合性能、制備良率、供應(yīng)鏈協(xié)作等多個(gè)維度發(fā)力。 碳化硅高度契合光
2023-04-20 07:15:07
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碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:48
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了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。陶瓷基復(fù)合材料主要由纖維增強(qiáng)體、陶瓷基體和界面三部分組成。按照基體類型,陶瓷基復(fù)合材料主要有碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(Cf/SiC、SiCf/SiC)、超高溫陶瓷基復(fù)合材料(Cf/UHTCs
2023-05-18 16:39:42
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SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個(gè)SiC晶粒可以燒結(jié)在一起形成堅(jiān)固的陶瓷;SiC纖維可以添加到聚合物
2023-05-24 11:20:48
1544 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20
390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32
747 片(BNNS)和球形氧化鋁(Al2O3)作為導(dǎo)熱填料,通過熱壓的方法制備出Al2O3-BNNS/PVDF導(dǎo)熱復(fù)合材料。首先,在氯化膽堿(ChCl)與植酸(PA)水
2022-11-22 15:30:48
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、核聚變等領(lǐng)域,成為先進(jìn)的高溫結(jié)構(gòu)及功能材料。本文綜述了高導(dǎo)熱碳化硅陶瓷基復(fù)合材料制備及性能等方面的最新研究進(jìn)展。研究通過引入高導(dǎo)熱相,如金剛石粉、中間相瀝青基碳纖維等
2023-05-06 09:44:29
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將石墨烯填充到聚酰亞胺材料中制備復(fù)合材料,能較大程度地提升聚酰亞胺復(fù)合材料的力學(xué)性能、熱力學(xué)性能以及電學(xué)性能,以滿足高新科技的日益發(fā)展對(duì)新材料性能的苛刻要求。本文概述了聚酰亞胺與石墨烯復(fù)合的兩種方法
2023-08-08 12:27:13
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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:22
1042 igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:04
9049 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41
667 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57
931 中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:36
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、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物,具有多種晶體結(jié)構(gòu),包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點(diǎn)、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:51
742 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33
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碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
2023-12-19 11:48:30
207 碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點(diǎn),在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20
318 碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
379 材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:14
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復(fù)合材料是由兩種或更多種不同的原材料組成的材料,通過化學(xué)加工或物理力學(xué)方法使其相互結(jié)合。根據(jù)組分的不同,復(fù)合材料可以分為無機(jī)復(fù)合材料和有機(jī)復(fù)合材料兩大類。無機(jī)復(fù)合材料包括金屬基復(fù)合材料、陶瓷
2024-02-02 14:43:27
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評(píng)論