碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見(jiàn)。然而，自從1893年以來(lái)，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過(guò)一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02
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極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
器件的特點(diǎn) 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?！ ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一
方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡(jiǎn)稱
SiC已被證明是一種材料，可以用來(lái)構(gòu)建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，
SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化，集成化方向發(fā)展?！ ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動(dòng)下，汽車電子行業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級(jí)。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下，車用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，在這些環(huán)境中，傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能，包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天，SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái)，預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
，換向電感只能在DBC設(shè)計(jì)的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH，對(duì)于 6 組功率模塊，這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅中，MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
范圍的高性能硅方案，也處于實(shí)現(xiàn)寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產(chǎn)品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，為設(shè)計(jì)人員提供針對(duì)不同應(yīng)用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì) SiC 器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。近20多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
的門(mén)檻變得越來(lái)越低，價(jià)格也在逐步下降，應(yīng)用領(lǐng)域也在慢慢扭轉(zhuǎn)被海外品牌一統(tǒng)天下的局面。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)多家龍頭企業(yè)已開(kāi)始嘗試與內(nèi)資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當(dāng)前國(guó)內(nèi)品牌尚不具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過(guò)，自 1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)碳化硅（SiC）的需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:053967 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)...以下針對(duì)SiC器件進(jìn)行深度分析：
2022-12-09 11:31:261087 摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切片、薄化與拋光工藝段的研究現(xiàn)狀，分析對(duì)比了切片、薄化、拋光加工工藝機(jī)理，指出了加工過(guò)程中的關(guān)鍵影響因素和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-01-11 11:05:551309 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420965 、電源供應(yīng)器等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。碳化硅應(yīng)用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領(lǐng)域，這給國(guó)內(nèi)以基本半導(dǎo)體為代表的碳化硅企業(yè)帶來(lái)巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:083923 
碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng)，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不可能形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)。
2023-02-09 18:09:113371 sic碳化硅電機(jī) 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行，被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國(guó)外車企開(kāi)發(fā)的SiC電機(jī)
2023-02-17 14:10:171499 。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強(qiáng)度和模量確實(shí)優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強(qiáng)度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，被認(rèn)為是增強(qiáng)金屬和陶瓷材料的理想增強(qiáng)組元。
2023-02-21 09:13:470 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長(zhǎng)，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743 
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)。??一、太陽(yáng)能逆變器。??碳化硅二極管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05843 
隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855 
當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì)，碳化硅材料七成以上來(lái)自美國(guó)公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開(kāi)發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41260 
前來(lái)看，在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。最終的周期將取決于技術(shù)的進(jìn)度、下游市場(chǎng)的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35234 與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)
2023-09-12 09:45:57259 碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51742 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
，因此在電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)碳化硅功率器件的原理、特點(diǎn)、應(yīng)用現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-12-14 09:14:46241 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20360 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29188 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。
2024-01-03 10:13:43363 
應(yīng)用以及發(fā)展趨勢(shì)。
一、碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件具有高頻率、高效率、高耐壓和高耐流等優(yōu)勢(shì)，使得其在能源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅功率器件
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正在引發(fā)一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的工作溫度以及更快的開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，使得其在電動(dòng)汽車、可再生能源、軌道交通等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中具有巨大的應(yīng)用潛力。
2024-01-11 09:25:29298 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-21 09:27:13210 的物理性能和潛力巨大的市場(chǎng)應(yīng)用前景，受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2024-02-25 10:37:01165 
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過(guò)利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 
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