第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導體，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢...以下針對SiC器件進行深度分析：
審核編輯：郭婷
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原文標題：第三代半導體：SiC碳化硅深度產業(yè)分析【推薦】
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工商網監(jiān)
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