北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購(gòu)訂單

近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...

2018-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4299 0

Soitec收購(gòu)EpiGaN nv，整合氮化鎵優(yōu)勢(shì)

法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡(jiǎn)稱(chēng)GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。

2019-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4299 0

高性能、小體積，GaN在智能家居中開(kāi)拓廣闊市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來(lái)越被市場(chǎng)青睞。想要將電源體積做得更小，但同時(shí)能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...

2024-01-19 標(biāo)簽：智能家居氮化鎵GaN 4260 0

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成！

9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...

2020-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4205 0

2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告

據(jù)Yole估計(jì)，在0~900V的低壓市場(chǎng)，GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元； 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...

2020-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4186 0

多賽道共同發(fā)展的氮化鎵，成為5G發(fā)展的關(guān)鍵！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）近年來(lái)氮化鎵技術(shù)可謂是站在了發(fā)展的上風(fēng)口，各類(lèi)相關(guān)應(yīng)用在國(guó)內(nèi)政策的大力扶持下遍地開(kāi)花。氮化鎵同時(shí)涵蓋了射頻與功率領(lǐng)域，具有耐...

2022-02-09 標(biāo)簽：氮化鎵5G基站 4154 0

使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)可取代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED

據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。

2020-03-09 標(biāo)簽：led氮化鎵 4117 0

碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用范圍

與硅相比，SiC和GaN（不僅作為寬帶隙半導(dǎo)體，而且作為材料本身）在品質(zhì)因數(shù)（εμeEc3）方面顯示出其出色的性能水平：SiC高440倍，GaN高1130倍。

2022-12-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4070 0

淺析氮化鎵能為你提供什么

您可能沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)過(guò)氮化鎵（GaN，gallium nitride），但氮化鎵（GaN，gallium nitride）正在迅速成為智能手機(jī)領(lǐng)域中越來(lái)越重要...

2020-01-19 標(biāo)簽：智能手機(jī)半導(dǎo)體氮化鎵 4011 0

2461源測(cè)量單元的產(chǎn)品特點(diǎn)、功能及應(yīng)用范圍

2461高電流SourceMeter? 源測(cè)量單元（SMU）儀器把先進(jìn)的Touch、Test、Invent? 技術(shù)放到您的手中。它把創(chuàng)新的圖形用戶(hù)界面（...

2021-01-03 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池氮化鎵電池 3994 0

氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

此外，與硅不同，GaN沒(méi)有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導(dǎo)電流（稱(chēng)為“第三象限”操作）。因此，GaN沒(méi)有反向恢復(fù)電荷...

2020-04-29 標(biāo)簽：二極管氮化鎵晶片 3970 0

EPC公司利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用推出六個(gè)視頻實(shí)用范例

學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無(wú)人機(jī)、全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)。

2020-04-28 標(biāo)簽：EPC氮化鎵人工智能 3966 0

小米發(fā)布旗下首款氮化鎵充電器 售價(jià)149元

小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買(mǎi)價(jià)格99元)，同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱(chēng)“小米GaN...

2020-02-13 標(biāo)簽：充電器氮化鎵小米 3966 0

氮化鎵快充研發(fā)重大突破 三大核心芯片實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)

國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)...

2020-12-18 標(biāo)簽：芯片氮化鎵快充技術(shù) 3958 0