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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵的下一個(gè)性能飛躍
這評(píng)估板的優(yōu)勢(shì)包括顯著減小損耗、重量、尺寸(布板尺寸可減小達(dá)80%)和系統(tǒng)成本(可節(jié)省達(dá)60%的BOM成本),非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源...
2019-11-29 標(biāo)簽:晶體管安森美半導(dǎo)體氮化鎵 5908 0
采用氮化鎵應(yīng)用模塊實(shí)現(xiàn)DCDC的設(shè)計(jì)
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(二)TI用氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)的DCDC設(shè)計(jì)方案
探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來(lái)前景
過(guò)去一些年,功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個(gè)非常尷尬的境地,一方面他們無(wú)法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間。
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管制備方法的簡(jiǎn)單分析
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表,具有寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
Transphorm 最新技術(shù)白皮書(shū): 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強(qiáng)型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì)對(duì)比
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說(shuō)明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺(tái)設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢(shì),而E-Mo...
2023-10-24 標(biāo)簽:氮化鎵 5710 0
倍思發(fā)布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵
倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W,支持PD3.1、QC4+、QC3.0等多種充電協(xié)議,并采用“2C1A”輸出接口,售價(jià)...
最近風(fēng)靡的氮化鎵充電器,對(duì)我們消費(fèi)者最直觀的感覺(jué)就是小。當(dāng)然,在充電功率等同的情況下,體積越大的充電器,散熱必然就越好,如果一個(gè)充電器不做好電路可靠性就...
氮化鎵充電器前景非常明朗,大概率會(huì)取代傳統(tǒng)充電器。 氮化鎵充電器為何能夠取代傳統(tǒng)的充電器呢,或者說(shuō)氮化鎵充電器都有哪些優(yōu)勢(shì)?下面給給大家進(jìn)行解答。
耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目 利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局
11月6日,耐威科技發(fā)布公告稱,其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議,擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵(GaN)晶圓制造項(xiàng)目。
中國(guó)是全球金屬鎵最大市場(chǎng),下游射頻器件應(yīng)用規(guī)模占比達(dá)91%
氮化鎵(GaN)是一種無(wú)機(jī)物,是氮和鎵的化合物,主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng),全球氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng),2020...
半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況,第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展
第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國(guó)重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)業(yè),是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展,國(guó)家層面先后引...
聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
單片集成的歧管微通道冷卻結(jié)構(gòu)高效改善芯片的散熱性能
近年來(lái),研究人員開(kāi)始探索將液體冷卻模塊直接嵌入芯片內(nèi)部,以實(shí)現(xiàn)更加高效的制冷效果的新技術(shù),但這一技術(shù)仍未解決電子設(shè)備和冷卻系統(tǒng)分開(kāi)處理的困境,從而無(wú)法發(fā)...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì) 開(kāi)啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元
引言: 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無(wú)法滿足新時(shí)代對(duì)高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅(SiC)...
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm,對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...
小米GaN充電器今日再開(kāi)售 搭配小米10 Pro可提供最高50W充電功率
小米10發(fā)布會(huì)上,小米還帶來(lái)了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器,官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”,售價(jià)149元。對(duì)一塊4500mA...
超級(jí)快充直逼160W,PD3.1快充協(xié)議、氮化鎵助力市場(chǎng)快速起量
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)今年5月,USB-IF協(xié)會(huì)發(fā)布了最新的USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn),新增了28V、36V、48V三個(gè)拓展輸出電壓,并將最大輸...
剛剛,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢(shì),這是達(dá)摩院成立三年以來(lái)第三次發(fā)布年度科技趨勢(shì)。2020年是不平凡的一年,經(jīng)歷疫情的洗禮,許多行業(yè)重啟向上而...
國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片“上天”,中國(guó)空間站、北斗、火星探測(cè)都已經(jīng)用上
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)上周日,問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙由長(zhǎng)征5號(hào)B遙三運(yùn)載火箭送上太空,并與中國(guó)空間站天和核心艙順利完成對(duì)接。而除了將問(wèn)天實(shí)驗(yàn)艙這個(gè)當(dāng)今世界上...
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