氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件分類

中國氮化鎵芯片市場占據(jù)全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長率約為 %。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 4678 0

百瓦以上快充為何選擇LLC架構(gòu)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）“充電五分鐘，通話兩小時”這句廣告語可能是很多人對快充最開始的認(rèn)識，在以前很多手機廠商為實現(xiàn)手機長時間續(xù)航，只會一味地增加手...

2021-09-06 標(biāo)簽：氮化鎵快充 4666 0

氮化鎵充電器其中的門道是什么？

從去年開始，隨著一股席卷科技圈的環(huán)保風(fēng)潮，越來越多手機品牌相繼取消隨機附送充電器。這可把很多人搞得一頭霧水：不給充電器，這手機你讓我怎么用？雖說有些廠商...

2021-05-28 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 4632 0

努比亞推出65W GaN Pro氮化鎵充電器 體積再減小40%

去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵...

2021-02-19 標(biāo)簽：充電器氮化鎵努比亞 4632 0

90W氮化鎵充電器今日上市,30分鐘即可充滿5000mAh

這款90W氮化鎵充電器采用“第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)”，有著更加出色的擊穿能力，更高的電子遷移率和電子密度。有效降低了導(dǎo)阻帶來的發(fā)熱量，最終呈現(xiàn)出高效率和...

2020-11-05 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 4609 0

Anker新品發(fā)布會上推出多款充電周邊產(chǎn)品

10月24日下午消息，Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會，發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。

2019-10-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵移動電源 4565 0

美研究員設(shè)計出垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助提升LED顯示器效率

美國羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)ic...

2019-03-15 標(biāo)簽：led氮化鎵 4553 0

納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世，全新額定電壓650V/800V的大功率

在傳統(tǒng)硅充電器一半的體積和重量情況下，氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。

2021-02-19 標(biāo)簽：氮化鎵硅芯片納微半導(dǎo)體 4516 0

氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件

氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論...

2016-02-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率晶體管 4418 0

69W 雙USB-C口氮化鎵充電器調(diào)試完畢,進(jìn)入試產(chǎn)階段

支持VOOC等超級快充。

2019-05-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 4403 0

氮化鎵你了解多少

氮化鎵是一種新興的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。由于其獨特的特性，氮化鎵在各種領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如LED照明、電力電子、無線通信、智能家...

2023-05-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 4391 0

納維科技將在蘇州建設(shè)氮化鎵(GaN)單晶襯底研發(fā)基地

據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“蘇州納維科技”）在園區(qū)舉行總部大樓奠基儀式。

2021-01-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 4385 0

Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選

據(jù)悉，Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市，價格為 54.99 美元（369 RMB）。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵Anker 4349 0

回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內(nèi)容介紹

成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊在這方面所做的努力和成績。在先進(jìn)節(jié)點方面，Negative Capacitance FET ...

2019-09-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4323 0