99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

牽手一起夢 ? 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2020-04-08 16:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn),ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù),展示了 200 mm 硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外,公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍圖。

產(chǎn)量對于 microLED 顯示器的成功起著至關(guān)重要的作用。它會直接影響生產(chǎn)的復(fù)雜性和成本。為了降低所需的成本,必須采用大晶片直徑。這對于 microLED 應(yīng)用而言尤其如此,它將來自 CMOS 生產(chǎn)線的晶片與 LED 外延片集成(如通過粘合)。對比藍寶石基氮化鎵 (GaN-on-sapphire) 實現(xiàn)的更小直徑,匹配的晶片直徑甚至還起到了促進作用。ALLOS 團隊已采用其獨有的應(yīng)變工程技術(shù)來進一步提高波長一致性,并于 2019 年 2 月在 Veeco 的 Propel 產(chǎn)品上展示了 200 mm 的 GaN-on-Si LED 外延片,標準差 (STDEV) 低至 0.6 nm。

ALLOS 的最新研究結(jié)果表明,該技術(shù)現(xiàn)具有出色的可復(fù)制性,200 mm 的波長一致性始終低于 1 nm STDEV?!芭c此同時,我們還達到了所有其他生產(chǎn)要求,例如弓小于 40 mm,SEMI 標準厚度為 725 mm。在將 CMOS 晶片粘合到 LED 外延片時,這些參數(shù)非常重要?!盇LLOS 聯(lián)合創(chuàng)始人之一 Alexander Loesing 表示,“這些結(jié)果令人印象深刻,因為我們的技術(shù)團隊僅在對這項工作投入非常有限的時間和資源的情況下,推動了 GaN 技術(shù)的發(fā)展?!?/p>

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

圖 1:用于 microLED 應(yīng)用的 200 mm GaN-on-Si 外延片波長一致性的可復(fù)制性。

ALLOS 的首席技術(shù)官 Atsushi Nishikawa 博士在談到這一成就時指出:“我們公司的前身 AZZURRO 已率先在市場上推出了 150 mm 商用產(chǎn)品,后來又推出了 200 mm GaN-on-Si 外延片。下一個挑戰(zhàn)自然是生產(chǎn) 300 mm 外延片。當(dāng)為如此大的晶片設(shè)計的首個反應(yīng)器 Veeco ImPulse 面世時,我們便著手應(yīng)對這一挑戰(zhàn)。”

ALLOS 證實,其技術(shù)已在此新反應(yīng)器上成功擴展 300 mm。特別是,ALLOS 獨有的應(yīng)變工程技術(shù)和出眾的晶體質(zhì)量如預(yù)期的一樣適用于 300 mm。

圖 2:用于 microLED 的 300 mm GaN-on-Si 外延片。

“率先將 III 族氮化物技術(shù)應(yīng)用于 300 mm 令我們感到非常興奮。它證明了我們的應(yīng)變工程技術(shù)的可靠性,我們也希望為 microLED 客戶提供這項技術(shù)?!盇LLOS 聯(lián)合創(chuàng)始人之一 Nishikawa 補充道。

相比于 LED 行業(yè)的其他因素,從 100 mm 直徑(典型的藍寶石基氮化鎵晶片尺寸)按比例增大對于 microLED 的業(yè)務(wù)影響更大。使用大直徑除了眾所周知的降低單位面積成本效果之外,用于 microLED 生產(chǎn)的 200 mm 和 300 mm GaN-on-Si 外延片還允許使用比傳統(tǒng) LED 生產(chǎn)線成本更低和生產(chǎn)精度更高的 CMOS 設(shè)施。它還具有更深遠的影響,因為大多數(shù) microLED 生產(chǎn)概念要么包含使用大面積傳輸戳記的傳質(zhì)技術(shù),要么是單片集成顯示器:

ALLOS利用200mm/300mm硅基氮化鎵外延片解決晶片尺寸不匹配問題

圖 3:放大的晶片尺寸:由于顯示器的匹配矩形形狀或至圓形晶片的傳輸戳記,可通過改善面積利用率來實現(xiàn)額外的成本效益。

關(guān)于 300 mm 外延片的優(yōu)勢,Loesing 總結(jié)道:“對于 microLED 顯示器來說,大晶片尺寸的面積利用率更高,單是這一點就能實現(xiàn) 300 mm 外延片 40% 的成本優(yōu)勢。加上 CMOS 生產(chǎn)線帶來的其他成本優(yōu)勢和生產(chǎn)優(yōu)勢,這使得領(lǐng)先的業(yè)內(nèi)廠商開始評估基于 300 mm GaN-on-Si 的 microLED 顯示器?!?/p>

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1796

    瀏覽量

    118072
  • MicroLED
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    628

    瀏覽量

    39129
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,300mm硅片三年貢獻14.2億元

    。此次IPO,公司擬募資49.65億元,用于“集成電路用 300 毫米薄層外延擴產(chǎn)項目”“高端半導(dǎo)體材料研發(fā)項目”和“補充流動資金”。
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:09 ?4756次閱讀
    超<b class='flag-5'>硅</b>半導(dǎo)體IPO:產(chǎn)能爬坡,<b class='flag-5'>300mm</b>硅片三年貢獻14.2億元

    國內(nèi)氮化大廠被申請破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬晶圓

    半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動外延和芯片產(chǎn)線項目,主要業(yè)務(wù)是
    的頭像 發(fā)表于 05-22 01:07 ?2849次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>大廠被申請破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬<b class='flag-5'>片</b>晶圓

    英飛凌200mm SiC技術(shù)取得突破,2025年首供客戶

    英飛凌在200mm碳化硅(SiC)產(chǎn)品領(lǐng)域取得了重大進展,計劃在2025年第一季度向客戶推出首批基于這一先進技術(shù)的產(chǎn)品。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將在奧地利的菲拉赫生產(chǎn)基地制造,標志著英飛凌在高壓應(yīng)用領(lǐng)域邁出
    的頭像 發(fā)表于 02-19 15:35 ?706次閱讀

    英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

    英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200mm碳化硅(SiC)晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn),為高壓應(yīng)用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)200mmSiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所
    的頭像 發(fā)表于 02-18 17:32 ?695次閱讀
    英飛凌達成<b class='flag-5'>200mm</b>碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產(chǎn)品

    碳化硅外延晶片面貼膜后的清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中,
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:55 ?317次閱讀
    碳化硅<b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>晶片</b><b class='flag-5'>硅</b>面貼膜后的清洗方法

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    ,引入了“氮化(GaN)”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢?今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本 傳統(tǒng)的普通充電器,它的基礎(chǔ)材料是,也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。
    發(fā)表于 01-15 16:41

    日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

    工藝的橫向晶體管相比,采用氮化單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:18 ?917次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化領(lǐng)域,再次推動了氮化革命,率先成功開發(fā)出了全球首個300mm
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?966次閱讀
    英飛凌全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    RFTOP WR28 300mm可扭軟波導(dǎo)實測對比

    近日高品質(zhì)微波毫米波器件供應(yīng)商RFTOP(頻優(yōu)微波)采用國內(nèi)外三款矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀,對WR28 300mm可扭軟波導(dǎo)RWGFT28-300進行實測對比。此次被測可扭軟波導(dǎo)的測試頻段為26.5GHz-40GHz,
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:14 ?994次閱讀
    RFTOP WR28 <b class='flag-5'>300mm</b>可扭軟波導(dǎo)實測對比

    英飛凌推出全球最薄功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效

    已獲認可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠之后,英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:04 ?586次閱讀
    英飛凌推出全球最薄<b class='flag-5'>硅</b>功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸(300mm)功率氮化(GaN)晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比,每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片,技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1598次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    SEMI報告:未來三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計劃在300mm晶圓廠設(shè)備上投資4000億美元

    來源:SEMI China SEMI 美國加州時間2024年9月26日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027)》指出,從
    的頭像 發(fā)表于 09-29 15:20 ?836次閱讀
    SEMI報告:未來三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計劃在<b class='flag-5'>300mm</b>晶圓廠設(shè)備上投資4000億美元

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣

    ,而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似,但它們明顯高于的帶隙。的帶隙僅為1.1eV,比氮化和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?1405次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣<b class='flag-5'>片</b>

    英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革

    ●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù),英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm制造設(shè)施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●3
    的頭像 發(fā)表于 09-13 08:04 ?664次閱讀
    英飛凌率先開發(fā)全球首項<b class='flag-5'>300mm</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革

    英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革

    可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓,300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進,也因為晶圓直徑的
    發(fā)表于 09-12 11:03 ?1472次閱讀
    英飛凌率先開發(fā)全球首項<b class='flag-5'>300</b> <b class='flag-5'>mm</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革