第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)。為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，國家層面先后引發(fā)《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019版）》、《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等鼓勵性、支持性政策;而地方層面也積極響應(yīng)，通過政策將實質(zhì)性的人、財、物資源注入，推動著各地半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的集聚和發(fā)展。

1、半導(dǎo)體材料的演進(jìn)情況

第一代半導(dǎo)體材料是以硅（Si）、鍺（Ge）為主，第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（lnSb）為主。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，目前發(fā)展較為成熟的是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。

與傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，因此，其為基礎(chǔ)制成的第三代半導(dǎo)體具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的導(dǎo)熱頻，以及更強(qiáng)的抗輻射能力等諸多優(yōu)勢，在高溫、高頻、強(qiáng)輻射等環(huán)境下被廣泛應(yīng)用。

2、國家層面政策匯總

第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)是我國重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)?！笆濉睍r期以來，國家層面的政府部門發(fā)布了多項關(guān)于半導(dǎo)體行業(yè)、半導(dǎo)體材料行業(yè)的支持、引導(dǎo)政策，這些鼓勵政策涉及減免企業(yè)稅負(fù)、加大資金支持力度、建立產(chǎn)業(yè)研發(fā)技術(shù)體系等等：

3、地方層面政策匯總

除了國家層面的支持政策外，我國地方各級政府也進(jìn)一步支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，支持的方面包括集群培育、科研獎勵、人才培育以及項目招商等，各地通過政策將實質(zhì)性的人、財、物資源注入，推動著各地產(chǎn)業(yè)集聚加速：

4、重點政策解讀

——《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019版）》

為進(jìn)一步做好重點新材料首批次應(yīng)用保險補償試點工作，工信部于2019年12月發(fā)布的《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019版）》（自2020年1月1日起施行），其中碳化硅、氮化鎵和氮化鋁材料均有入選《目錄》，具體如下：

——《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》

集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量，國務(wù)院于2020年7月發(fā)布《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，《政策》在財稅、投融資、研究開發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應(yīng)用以及國際合作八個方面闡述了支持舉措。其中與半導(dǎo)體材料相關(guān)的內(nèi)容如下：

責(zé)任編輯：gt