據(jù)韓國消息報道，韓國科學技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個KIST團隊已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍光LED。

此前日本開發(fā)出一種制造高質(zhì)量氮化鎵的方法，用于生產(chǎn)藍光LED，這種藍光LED被用作智能手機、顯示器、電子產(chǎn)品和高頻設備的核心設備。

據(jù)悉，韓國研究小組使用一種由銅和碘合成的碘化銅化合物（CuI）來生產(chǎn)藍光LED。研究人員表示，“我們發(fā)現(xiàn)，碘化銅半導體可以發(fā)出藍光，其亮度是氮化鎵半導體的10倍以上，此外在光電效率和長期設備穩(wěn)定性方面的表現(xiàn)也很出色?！?/p>

研究人員研發(fā)的碘化銅半導體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底（300毫米）的優(yōu)勢。此外，碘化銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于300攝氏度）相似，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，它可以應用于低成本、簡單的硅半導體工藝。

這些研究成果的意義在于，通過在硅襯底上生長高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅，實現(xiàn)高效的藍光發(fā)射，在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導體材料新技術(shù)。

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