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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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紅魔 6 預(yù)熱:配備 4500mAh 電池,支持 120W 快充,送氮化鎵充電器
1 月 11 日消息 今天下午,紅魔手機(jī)手機(jī)發(fā)布了新品紅魔 6 的預(yù)熱信息,稱新品將配備 4500mAh 電池,支持 120W 快充,還送氮化鎵充電器。...
隨著氮化鎵功率器件在 PD快充領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,氮化鎵功率器件已經(jīng)成為了消費(fèi)電子領(lǐng)域的新寵,應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。氮化鎵功率器件憑借著自身優(yōu)異的性能和良好的...
具體來(lái)說(shuō),兩個(gè) Type-C接口可以輸出65W功率。但是,第三個(gè)USB-A端口支持高達(dá)30W的快速充電。以下是所有端口同時(shí)使用時(shí)的快速充電容量。
準(zhǔn)確測(cè)量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間
當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
氮化鎵適配器充電擴(kuò)展塢:65W快充支持Switch投屏
氮化鎵三孔設(shè)計(jì):分別為功率65w全功能TYPE-C口,5W功率USB3.0口以及4K的HDMI口, 此氮化鎵擁有擴(kuò)展塢功能卻并無(wú)HUB驅(qū)動(dòng)芯片,C口到H...
來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來(lái),芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢(shì)?
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
今天,紫米推出了33W氮化鎵充電器mini,將于3月8日開(kāi)售,到手價(jià)79元起。
“完美電源開(kāi)關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過(guò)2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試
此外,2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1,它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...
2018-11-28 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)氮化鎵 3484 0
氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙半導(dǎo)體,寬帶隙為3.4 eV(電子伏特),比砷化鎵(GaAs)寬2.4倍,比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子...
什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族...
2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 3461 0
Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器首發(fā):重量?jī)H為 94.3g
根據(jù) @堅(jiān)果手機(jī)微博消息,Smartisan 65W GaN 氮化鎵充電器,昨晚在李誕的抖音直播間首發(fā)。這款充電器目前已經(jīng)在錘子商城上架,售價(jià) 149 ...
InnoSwitch3-MX隔離式開(kāi)關(guān)電源IC產(chǎn)品系列擴(kuò)大陣容
InnoMux芯片組采用獨(dú)特的單級(jí)功率架構(gòu),與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比,可將顯示器應(yīng)用中的電源損耗降低50%,從而將恒壓和恒流LED背光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的整體效率提高至91%。
2020-05-19 標(biāo)簽:集成電路開(kāi)關(guān)電源氮化鎵 3456 0
近日,行業(yè)媒體一則消息引起了我們的關(guān)注,2021年蘋果公司將會(huì)推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充,與目前基于硅的充電器相比,該產(chǎn)品體積更小、...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代650V氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
新一代氮化鎵技術(shù)針對(duì)汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK
2020-06-11 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵Nexperia 3422 0
當(dāng)產(chǎn)品進(jìn)入成熟周期,在制造端實(shí)現(xiàn)極致節(jié)能、極致提效、極致降本,成為中國(guó)動(dòng)力電池企業(yè)提升核心競(jìng)爭(zhēng)力及全球話語(yǔ)權(quán)的必經(jīng)之路。
2023-05-30 標(biāo)簽:鋰電池動(dòng)力電池電源模塊 3414 0
氮化鎵市場(chǎng)前景光明,快充技術(shù)越來(lái)越平民化
在5G、電動(dòng)車、電源裝置等應(yīng)用的推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)需求已逐漸升溫。
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬...
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