碳化硅和氮化鎵哪個好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 3383 0

Plessey已開發(fā)出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝

為了產(chǎn)生綠光，LED制造商通常將磷光體或量子點轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍色LED上。然后，這些材料將短波長（通常為450nm）藍光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長，轉(zhuǎn)換效...

2019-04-16 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 3369 0

阿里達摩院將GaN列為科技趨勢之首 我們來介紹一下晶能光電

12月28日，阿里巴巴達摩院發(fā)布2021十大科技趨勢，為后疫情時代基礎(chǔ)技術(shù)及科技產(chǎn)業(yè)將如何發(fā)展提供了全新預(yù)測。 “以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體迎...

2020-12-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN碳化硅 3360 0

風(fēng)能發(fā)電中的碳化硅與IGBT對比分析

SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開關(guān)。

2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵 3357 0

解析連接器半導(dǎo)體材料之氮化鎵（GaN）篇

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)...

2020-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體連接器氮化鎵 3348 0

戴爾推出旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器

根據(jù)充電頭網(wǎng)的消息，戴爾現(xiàn)已推出了旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器，配備了三腳插頭，支持 90W PD 快充，還有一個 USB-A 接口，支持 5...

2020-11-01 標(biāo)簽：充電器戴爾PD 3346 0

國博電子科創(chuàng)板IPO再進一程！

近日，招商證券在中國證監(jiān)會官網(wǎng)披露關(guān)于南京國博電子股份有限公司（下稱“國博電子”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市輔導(dǎo)工作總結(jié)的報告。這意味著，繼1月份輔...

2021-06-25 標(biāo)簽：芯片氮化鎵5G 3314 0

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

毫無疑問，氮化鎵在半導(dǎo)體競爭中處于領(lǐng)先地位，可用于超級電源開關(guān)。

2019-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3304 0

小米和華為先后熱捧的產(chǎn)品，氮化鎵快充將迎來爆發(fā)之勢

2020年2月13日，小米召開了疫情以來首場重磅線上發(fā)布會，正式發(fā)布了小米10旗艦產(chǎn)品，同時也發(fā)布了一款明星配件產(chǎn)品：65W氮化鎵充電器。

2020-04-10 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 3303 0

兩款氮化鎵8瓦功率放大器模塊(PAM)QPA3908和QPA3810

日本電氣股份有限公司 (NEC) 擁有追求技術(shù)創(chuàng)新以及與領(lǐng)先行業(yè)供應(yīng)商合作的悠久傳統(tǒng)。NEC 已與 Qorvo 合作實施 QPA3908 和 QPA38...

2022-08-17 標(biāo)簽：氮化鎵5GQorvo 3262 0

回顧2021年國內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費類電子市場快速起量的同時，還在...

2022-01-20 標(biāo)簽：氮化鎵GaN5G 3243 0

中興通訊在其母國中國推出了一種新型的高速氮化鎵充電器

　新的中興通訊超快速充電器使用氮化鎵（GaN），因此，它比基于硅的類似規(guī)格快速充電器要小。這款65W充電器具有90°折疊銷，并帶有三個輸出端口–分別是2...

2021-02-18 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 3242 0

新型存儲設(shè)計方案出爐,耐受高溫,助力人類登陸火星

這種基于氮化鎵的新型存儲器件能夠在300攝氏度條件下保持運行。

2019-03-13 標(biāo)簽：存儲器氮化鎵 3233 0

氮化鎵功率晶體管價格降至1美元以下

GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。

2021-03-12 標(biāo)簽：充電器飛利浦氮化鎵 3223 0