深圳市浮思特科技有限公司文章

• PCIM 2025：面向電動(dòng)汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件2025-05-14 11:20

  

  隨著全球電氣化進(jìn)程加速，工程師們面臨著一個(gè)核心難題：如何在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度，同時(shí)不犧牲散熱性能與長(zhǎng)期可靠性。無(wú)論是電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)還是先進(jìn)工業(yè)設(shè)備，傳統(tǒng)硅基功率器件已逼近物理極限。不斷提升的開關(guān)速度、更嚴(yán)苛的能效要求以及日益復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景，都在呼喚性能更強(qiáng)的功率半導(dǎo)體解決方案。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，SemiQ、英飛凌、安世半導(dǎo)體和納微半導(dǎo)體四

  SiC 功率器件 電動(dòng)汽車 505瀏覽量

• SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代2025-05-14 11:18

  

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái)，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化，但東芝公司通過解決閂鎖效應(yīng)問題，大幅拓展了這一功率器件的商業(yè)應(yīng)用版圖。隨后，眾多廠商的加入推動(dòng)該器件在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。時(shí)至今日，全球已有約20家主要供應(yīng)商，市場(chǎng)規(guī)模從最初的數(shù)百萬(wàn)美元擴(kuò)展

  IGBT SiC 硅基 315瀏覽量

• 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)?？s減 比亞迪半導(dǎo)體首進(jìn)前十2025-05-13 11:23

  

  2025財(cái)年第二季度，英飛凌科技公司(InfineonTechnologies)于5月8日發(fā)布了最新財(cái)報(bào)，顯示全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模已縮減至323億美元，這一變化標(biāo)志著市場(chǎng)格局的顯著調(diào)整。在這份財(cái)報(bào)中，英飛凌盡管依然穩(wěn)坐市場(chǎng)首位，但其市場(chǎng)份額同比下降了2.9個(gè)百分點(diǎn)，降至17.7%。這一趨勢(shì)引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注，尤其是在全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不確定性加大的背景下。根據(jù)

  功率半導(dǎo)體 比亞迪 381瀏覽量

• 半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護(hù)：原理、測(cè)試方法與保護(hù)電路設(shè)計(jì)2025-05-13 11:21

  

  半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實(shí)現(xiàn)元件級(jí)保護(hù)，我們采用片上ESD保護(hù)電路來(lái)提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設(shè)備面臨的常見威脅。當(dāng)ESD事件發(fā)生時(shí)，一定量的電荷會(huì)在兩個(gè)物體間轉(zhuǎn)移(例如從人體到集成電路)。這種電荷轉(zhuǎn)移可能導(dǎo)致極高電流在極短時(shí)間內(nèi)流經(jīng)芯片，若器件無(wú)法快速耗散能量就會(huì)造成損壞。ESD威脅貫穿產(chǎn)品全生命周期：在制造組

  ESD 半導(dǎo)體芯片 電路設(shè)計(jì) 766瀏覽量

• Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET，具備卓越效率與熱穩(wěn)定性2025-05-08 11:09

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)(FoM)上處于行業(yè)領(lǐng)先水平，之前僅提供工業(yè)級(jí)版本。隨著獲得AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，這些MOSFET現(xiàn)已適合用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括車載充電器(OBC)、電動(dòng)車

  Nexperia SiC MOSFET 汽車 313瀏覽量

• 基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器2025-05-08 11:08

  

  對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題，而驅(qū)動(dòng)電路在這些方面都起著關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動(dòng)器。該方案不僅能實(shí)現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動(dòng)器原理轉(zhuǎn)換器

  MOSFET 氮化鎵 驅(qū)動(dòng)器 376瀏覽量

• 浮思特 | 創(chuàng)新燒結(jié)式溫度傳感器：實(shí)現(xiàn)功率電子器件精準(zhǔn)溫控的關(guān)鍵突破2025-05-07 11:15

  

  燒結(jié)工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應(yīng)用中，這種直接將半導(dǎo)體芯片及傳感器等相關(guān)無(wú)源元件固定于基板的技術(shù)，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結(jié)合碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料的使用，該技術(shù)可使功率電子器件的工作溫度突破200°C，顯著超越傳統(tǒng)焊接型硅基元件150°C的峰值溫度限制。隨著工作溫度提升，模塊整體過熱風(fēng)險(xiǎn)加劇，因此實(shí)現(xiàn)高精度、低延遲的溫度監(jiān)

  溫度傳感器 溫控 電子器件 313瀏覽量

• 新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊2025-05-06 14:08

  

  近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動(dòng)汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的又一次進(jìn)步。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對(duì)400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相

  IGBT SiC 高電壓 320瀏覽量

• AI人工智能崛起：高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)2025-05-06 14:03

  

  本文將聚焦AI對(duì)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響，以及這些變化對(duì)服務(wù)器和機(jī)架技術(shù)的意義。具體而言，我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效，以及高性能硅基MOSFET如何應(yīng)用于服務(wù)器、機(jī)架及相關(guān)設(shè)備以支持這一架構(gòu)演進(jìn)。數(shù)據(jù)中心與電力當(dāng)前數(shù)據(jù)中心約占全球總用電量的2%，但到2030年可能攀升至7%。直觀來(lái)看，屆時(shí)全球數(shù)據(jù)中心的整體用電量將與當(dāng)今印度全國(guó)的電力消耗規(guī)模相當(dāng)

  AI MOSFET 人工智能 258瀏覽量

• 芯聯(lián)集成2024年?duì)I收65.09億元：SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)跑亞洲2025-04-30 11:54

  

  近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體龍頭芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年業(yè)績(jī)公告。數(shù)據(jù)顯示，公司全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入65.09億元，其中主營(yíng)業(yè)務(wù)收入62.76億元，同比增長(zhǎng)27.8%;歸母凈利潤(rùn)大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正至1.03%，標(biāo)志著公司經(jīng)營(yíng)質(zhì)量顯著提升。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展備受關(guān)注。芯聯(lián)集成在SiCMOSFET領(lǐng)域表現(xiàn)亮眼，出貨量穩(wěn)居亞洲市

  SiC 半導(dǎo)體 473瀏覽量