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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅(qū)動(dòng)、MCU等硬件知識(shí),行業(yè)應(yīng)用和解決方案,以及電子相關(guān)的行業(yè)資訊。

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 智能功率模塊在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)分析2025-03-25 11:23

    在消費(fèi)類和通用工業(yè)應(yīng)用中,針對(duì)小型交流電動(dòng)機(jī)的逆變器設(shè)計(jì)師面臨著日益嚴(yán)格的效率、可靠性、尺寸和成本的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)上,許多小型逆變器設(shè)計(jì)采用離散功率器件封裝,并結(jié)合實(shí)現(xiàn)接口、驅(qū)動(dòng)和保護(hù)功能所需的輔助組件。這種方法需要較大的復(fù)雜PCB設(shè)計(jì),以滿足驅(qū)動(dòng)器和離散功率器件組合的所有間距和布局要求。另一個(gè)同樣令人困惑的問題是,當(dāng)驅(qū)動(dòng)器和功率器件的特性未能正確匹配時(shí),如何保
  • Vicor在臺(tái)灣推廣48V電源模塊:模塊化設(shè)計(jì)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)2025-03-24 11:38

    近日,美系功率半導(dǎo)體模塊廠商Vicor在中國(guó)臺(tái)灣舉辦了一場(chǎng)媒體活動(dòng),重點(diǎn)宣傳其最新的48V電源模塊平臺(tái)。此次活動(dòng)吸引了眾多媒體及行業(yè)專家的關(guān)注,凸顯了Vicor在電源管理領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力和市場(chǎng)策略。Vicor在活動(dòng)中強(qiáng)調(diào),其模塊化設(shè)計(jì)在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與眾不同。與許多傳統(tǒng)的美系電源管理IC廠商和IDM(集成設(shè)備制造商)不同,Vicor并不將所有功能整合在一塊電
    Vicor 電源模塊 552瀏覽量
  • 浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型:提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)與仿真的新方法2025-03-24 11:36

    功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下,我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件,盡管這可能是一個(gè)不太精確的術(shù)語(yǔ)。在許多實(shí)際情況下,電子設(shè)備可以建模為一個(gè)可變電阻,其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低,而在阻斷狀態(tài)下的
  • Microchip Technology委托麥格理集團(tuán)出售亞利桑那州晶圓廠二號(hào)2025-03-21 11:26

    近日,MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(tuán)(MacquarieGroup),負(fù)責(zé)其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號(hào)的市場(chǎng)推廣與出售。這標(biāo)志著Microchip在調(diào)整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,專注于微控制器、模擬半導(dǎo)體、閃存等領(lǐng)域。公司在技術(shù)
  • SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)2025-03-21 11:25

    使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷,或氮化鎵HEMT的零反向恢復(fù)電荷,使設(shè)計(jì)師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而,盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢(shì),這些開關(guān)類型與經(jīng)過驗(yàn)證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni
  • Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)2025-03-20 11:18

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù),稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計(jì),使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱,極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊,只有1
    MOSFET Nexperia SiC 497瀏覽量
  • SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能2025-03-20 11:16

    使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標(biāo)準(zhǔn)的硅p/n二極管提供了許多優(yōu)勢(shì)。一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是缺乏反向恢復(fù)損失,這種損失在p/n二極管中尤為顯著,特別是在高溫、快速切換和高電
  • Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC2025-03-19 11:15

    近日,納維塔斯半導(dǎo)體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會(huì)上,宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC),此舉被業(yè)界譽(yù)為在可再生能源和電動(dòng)汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會(huì)上指出,這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個(gè)方面都達(dá)到了行業(yè)頂尖水平。納維塔斯在大會(huì)上推出的雙向Ga
    GaN Navitas 功率IC 776瀏覽量
  • DSA技術(shù):突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案2025-03-19 11:10

    為了補(bǔ)償光子不足,制造商可能會(huì)增加曝光劑量,這又會(huì)延長(zhǎng)光刻過程中停留的時(shí)間。然而,這種做法直接影響了生產(chǎn)效率,使得整個(gè)過程變得更慢,經(jīng)濟(jì)性降低。此外,隨著幾何尺寸的縮小以適應(yīng)更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn),對(duì)更高劑量的需求也加劇,從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù):一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性
    DSA EUV 半導(dǎo)體 599瀏覽量
  • onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統(tǒng)成本2025-03-18 11:34

    近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM),型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊,憑借卓越的能效和功率密度,成為行業(yè)內(nèi)的一項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計(jì),相較于傳統(tǒng)的場(chǎng)停7IGBT技術(shù),具有更顯著的能量效率和更低
    IPM SiC 晶體管 489瀏覽量