深圳市浮思特科技有限公司文章

• 突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測試的創(chuàng)新解決方案2025-03-18 11:33

  

  “萬物電氣化”影響著社會(huì)和工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型，需要低成本且高效的電力電子技術(shù)來滿足各種應(yīng)用需求。這不僅要求為每個(gè)特定應(yīng)用開發(fā)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，還需要高效率的新型半導(dǎo)體技術(shù)，例如基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的器件。電動(dòng)化是能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支柱之一。在此領(lǐng)域，除了成本外，轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和功率(例如用于電池充電)也至關(guān)重要。為此，上

  HIL 寬帶隙器件 測試 電動(dòng)化 396瀏覽量

• LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器2025-03-17 10:41

  

  目前，越來越多的汽車牽引逆變器開發(fā)者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個(gè)備受青睞且經(jīng)過廣泛驗(yàn)證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，能夠支持800V電池系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，從而為車輛提供更長的續(xù)航里程和更短的充電時(shí)間。HAH3DRS07/SP42，這是一款專為800V三相功率模塊設(shè)計(jì)的緊湊

  lem 電流傳感器 逆變器 597瀏覽量

• 高級技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)車電池制造的變革與可持續(xù)發(fā)展2025-03-17 10:40

  

  隨著電動(dòng)車(EV)市場的快速增長，預(yù)計(jì)到2033年將達(dá)到5375.3億美元，汽車制造商面臨的最緊迫挑戰(zhàn)之一是確保電動(dòng)車電池的安全性、可靠性和經(jīng)濟(jì)性。電池技術(shù)的進(jìn)步在滿足這些需求和確保電動(dòng)車成功實(shí)現(xiàn)大規(guī)模推廣方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。為此，人工智能(AI)、數(shù)字雙胞胎和先進(jìn)電池化學(xué)等新興技術(shù)正在幫助塑造電動(dòng)車電池制造的未來，改變生產(chǎn)過程，提升電池性能，并確?？?

  人工智能 電動(dòng)汽車 電動(dòng)車電池 746瀏覽量

• 德州儀器發(fā)布超小型微控制器，推動(dòng)嵌入式技術(shù)微型化2025-03-14 11:03

  

  在全球嵌入式技術(shù)領(lǐng)域，德州儀器(TexasInstruments,TI)于近日在德國舉辦的國際嵌入式展會(huì)上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。這款微控制器的面積僅為1.38mm²，較目前市場上最小的MCU小了38%，這一突破性進(jìn)展將極大推動(dòng)微型化技術(shù)的發(fā)展，滿足日益增長的市場需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 單片機(jī) 微控制器 德州儀器 578瀏覽量

• 2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命2025-03-14 11:01

  

  由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要中壓器件或多級拓?fù)涞闹绷麈溄与妷含F(xiàn)在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級正在促進(jìn)1500V級逆變器的電路拓?fù)滢D(zhuǎn)變。憑借經(jīng)過驗(yàn)證的芯片技術(shù)、低開關(guān)損耗和標(biāo)準(zhǔn)封裝，

  SiC 功率模塊 碳化硅 389瀏覽量

• 意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新2025-03-13 11:09

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過一系列創(chuàng)新設(shè)計(jì)，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場

  STM32 微控制器 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng) 831瀏覽量

• TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿2025-03-13 11:05

  

  在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細(xì)介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點(diǎn)TGAN25N120

  IGBT 功率開關(guān)器件 晶體管 726瀏覽量

• 英飛凌2024年MCU市場份額飆升，首次奪得全球微控制器市場首位2025-03-12 11:42

  

  近日，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場份額預(yù)計(jì)將達(dá)到21.3%，相比2023年的17.8%增長了3.5個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著的增長幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌 691瀏覽量

• 突破電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)2025-03-12 11:40

  

  隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重新定義了電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的能力。電動(dòng)汽車的日益普及依賴于延長車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實(shí)現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動(dòng)力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 617瀏覽量

• 英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用2025-03-11 11:39

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術(shù)的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實(shí)施這些次世代項(xiàng)目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌 416瀏覽量