深圳市浮思特科技有限公司文章

• 垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)2025-01-16 10:55

  

  垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法。這項技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應用于許多領域，包括電源適配器和數(shù)據(jù)中

  GaN MOS 功率器件 682瀏覽量

• 三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充2025-01-15 11:06

  

  2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充，還具備反向無線充電功能，為用戶提供了更高效便捷的無線充電解決方案。作為無線充電技術(shù)領域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片將無線充電功率提升至最高50W，這將使充電

  充電芯片 無線充電 無線快充 1347瀏覽量

• 高壓逆變器中的載波基礎PWM技術(shù)比較2025-01-15 11:01

  

  高壓逆變器是可再生能源系統(tǒng)的重要組成部分，這些逆變器依賴脈寬調(diào)制(PWM)來控制電力轉(zhuǎn)換過程。PWM使得波形生成和電力質(zhì)量的精確控制成為可能，同時有效地抑制諧波。通過調(diào)節(jié)電壓脈沖的寬度，可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形，從而實現(xiàn)有效且平穩(wěn)的電力傳輸給負載。載波波形的形狀在與參考信號進行比較時區(qū)分了不同的PWM技術(shù)。主要的三種載波基礎PWM技術(shù)包括三角波

  PWM 電力轉(zhuǎn)換器 逆變器 高壓逆變器 874瀏覽量

• 2024全球半導體市場增長，區(qū)域表現(xiàn)分化趨勢明顯2025-01-14 11:04

  

  根據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年11月全球半導體銷售額達到578億美元，環(huán)比增長1.6%，連續(xù)第八個月實現(xiàn)月度增長，同時也創(chuàng)下了新的歷史紀錄。這一數(shù)據(jù)表明，全球半導體行業(yè)在經(jīng)歷過去幾年的波動后，正在持續(xù)復蘇并保持強勁的增長態(tài)勢。在全球半導體銷售表現(xiàn)中，美洲地區(qū)成為最大的亮點。11月，美洲地區(qū)的銷售額達到195億美元，占全球總額的

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• 高電壓轉(zhuǎn)換器與電動車應用：NPC多電平逆變器為何如此關(guān)鍵?2025-01-14 11:02

  

  隨著能源需求的持續(xù)增長，電流在傳輸和利用過程中出現(xiàn)了許多問題。特別是，智能電網(wǎng)的增長和可再生能源的使用對電能的“質(zhì)量”提出了更高的要求，例如減少諧波和在電網(wǎng)中平衡有功與無功功率的能力，因此需要使用靜態(tài)無功補償器(STATCOM)。簡單來說，它們由電力電子設備組成，動態(tài)提供無功功率支持，在負載或發(fā)電波動期間幫助穩(wěn)定電壓水平。通常，它們位于高電壓側(cè)(從30kV到

  多電平逆變器 電動車 轉(zhuǎn)換器 862瀏覽量

• 瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領域應用2025-01-13 11:41

  

  近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術(shù)有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為

  MOSFET 功率MOSFET 瑞薩電子 520瀏覽量

• SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能？2025-01-13 11:40

  

  隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全運行的元器件。基于寬禁帶材料(如碳化硅，SiC)制造的器件滿足了這一要求，并在這些應用中越來越受歡迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高溫下也會表現(xiàn)出復雜的行為，

  MOSFET SiC 功率器件 601瀏覽量

• 意法半導體推出全新IO-Link參考設計 助力智能工業(yè)應用2025-01-10 11:55

  

  日前，全球知名的半導體領導企業(yè)意法半導體正式發(fā)布了一款全新的IO-Link參考設計——EVLIOL4LSV1電路板。此產(chǎn)品以其強大的功能和高集成度，旨在為工業(yè)監(jiān)控和設備制造商提供高效可靠的一站式解決方案。EVLIOL4LSV1電路板采用了ST先進的L6364Q雙通道IO-Link收發(fā)器和IPS4260L低邊功率開關(guān)。這種設計使得該電路板能夠直接連接到智能警示

  工業(yè) 意法半導體 電路板 476瀏覽量

• 第六代雙極功率模塊如何推動工業(yè)應用的性能升級?2025-01-10 11:52

  

  雙極模塊在工業(yè)工頻應用中仍然是一種穩(wěn)健且具有成本效益的解決方案。盡管此類電路的基本操作方式?jīng)]有變化，但功率模塊的封裝技術(shù)卻在不斷進步。自1975年SEMIPACK隔離底板整流模塊問世以來，它已發(fā)展成為一個覆蓋多種電流和拓撲的大型產(chǎn)品系列，成為50/60Hz整流器和交流控制器的標準，并廣泛應用于電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)及過程控制等市場。SEMIPAC

  二極管 功率模塊 工業(yè) 496瀏覽量

• 安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠，助力技術(shù)布局！2025-01-08 11:40

  

  近日，全球領先的半導體解決方案供應商安森美(onsemi)宣布，以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化鎵(GaN)晶圓制造廠。這項交易受到業(yè)界廣泛關(guān)注，標志著安森美在功率半導體領域的進一步布局。該晶圓制造廠最初由紐約州政府斥資近1億美元建造，旨在推動當?shù)叵冗M制造業(yè)的發(fā)展。然而，由于市場波動和企業(yè)運營問題

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