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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺,包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 基于IM828-XCC的高速電機驅(qū)動器設(shè)計2023-07-31 22:55

    隨著現(xiàn)代機床向高速、高精度方向發(fā)展,對機床主軸的技術(shù)要求越來越高。電主軸作為高速機床的重要組成部件之一,因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動態(tài)性能等特性,可有效提高機床的動態(tài)平衡,避免了振動和噪聲。主軸電機放置在機床的主軸單元內(nèi),直接驅(qū)動負載。因此,簡化了傳統(tǒng)的機械驅(qū)動結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了“零驅(qū)動”。由于電主軸的廣泛應(yīng)用,推動著電機主軸系統(tǒng)向高精度、高速、低能耗、高效率、高
  • 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅(qū)動器IC實現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(第一部分)2023-07-31 22:55

    作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯:趙佳MOTIX三相柵極驅(qū)動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員,該品牌通過可擴展的產(chǎn)品組合提供低壓電機控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器IC,采用5x5mm²QFN-32封裝,帶有熱效率高的裸露功率焊盤,并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件
    IC 供電 電池 驅(qū)動器 1089瀏覽量
  • 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅(qū)動器IC實現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計(第二部分)2023-07-31 22:54

    作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯:趙佳6ED2742S01Q是一款用于電池供電應(yīng)用的高性價比、易于使用的柵極驅(qū)動器IC。6ED2742S01Q具有10V至120V的寬工作電壓范圍,是12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅(qū)動器解決方案。這兩種強大的保護和電流檢測方案使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠為MOSFET逆變級和
    IC 電池 驅(qū)動器 925瀏覽量
  • 200kW儲能用EasyPACK™ 3B三電平模塊2023-07-31 17:56

    新品200kW儲能用EasyPACK3B三電平模塊F3L225R12W3H3_B11NPC1三電平EasyPACK3B模塊采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二極管。它為ESS雙向功率變換進行了優(yōu)化,兩個并聯(lián)模塊,可以實現(xiàn)200千瓦1500VDC功率變換。相關(guān)器件:F3L225R12W3H3_B11產(chǎn)品特點采用PressFIT技術(shù)的E
    三電平 儲能 模塊 3064瀏覽量
  • 6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)2023-07-31 17:55

    新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率開關(guān)。該板預(yù)裝了兩個CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H,一個額外的柵極驅(qū)動IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側(cè)
    MOSFET SiC 評估板 1289瀏覽量
  • 英飛凌的SiC MOS需要負壓嗎2023-07-31 17:30

    IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術(shù)與應(yīng)用。直播時間有限,未能回答全部觀眾問題,在此針對一些遺漏問題進行回答。如果大家還有任何問題,歡迎在文末留言,我們會及時回復(fù)。點擊下方視頻即可回看溝槽柵
    MOS SiC 英飛凌 2575瀏覽量
  • 新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET2023-07-31 16:57

    新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC,并有使用預(yù)涂的熱界面材料(TIM)版本。產(chǎn)品型號:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
    MOSFET 高速開關(guān) 1359瀏覽量
  • 零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體2023-07-06 10:07

    來源:內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech(News-21),作者:李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去一段時間,盡管全球消費電子市場持續(xù)低迷,存儲芯片等各類半導(dǎo)體零部件的需求明顯減少,但廣泛用于光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體市場卻異常熱鬧。特別是在能源轉(zhuǎn)型的巨大需求
    半導(dǎo)體 新能源 772瀏覽量
  • 晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算2023-07-01 10:10

    功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算和結(jié)溫預(yù)估進行說明,給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計算,請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。晶閘管是半控型電力電子器件,可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時,控制晶閘管
    UPS 晶閘管 1828瀏覽量
  • 搶占席位|2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇2023-06-30 10:08

    主辦單位:英飛凌科技(中國)有限公司協(xié)辦單位:慕尼黑展覽(上海)有限公司合作媒體:世紀電源網(wǎng)、電源網(wǎng):7月11日:上海國家會展中心伴隨科技高速發(fā)展,隨之帶來的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新?如何提
    寬禁帶 英飛凌 1040瀏覽量