動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-15 17:08

  新品 | 面向電動汽車充電應用的Easy模塊產品擴展

  

  新品面向電動汽車充電應用的Easy模塊產品擴展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四單元模塊，采用增強型第一代CoolSiCMOSFET技術，集成NTC溫度傳感器并配備PressFIT針腳。產品型號：■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1

  easy 充電 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 18:18

  SiC MOSFET在三相四橋臂變換器中的應用優(yōu)勢

  

  由于第四橋臂的引入，對比三相三橋臂變換器，負載相電壓的電平數從五個(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三個(±Udc,0)，因此自然的，相同電路參數下，輸出電流的諧波畸變度將會更大，下圖所示為相同開關頻率，相同濾波器參數以及輸出相同電流有效值情況下，兩種拓撲的負載電壓電流波形與電流THD對比，三相四橋臂變換器輸出電流諧波含量明顯更高。（參考鏈接：三相

  SiC MOSFET 變換器 電流

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• 發(fā)布了文章 2025-07-12 08:32

  AI的盡頭是能源？(1)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W的諸葛英健投稿。據《華爾街日報》7月1日報道，亞馬遜云服務正與美國最大的核電廠運營商ConstellationEnergy接近達成一項直接供電協議。而早在今年3月，亞馬遜以6.5億美元收購了位于賓夕法尼亞州的TalenEnergy旗下的Cumulus數據中心園區(qū)

  AI 供電 能源

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 17:08

  IGBT的電流是如何定義的

  

  IGBT的電流是器件基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設計工程師是遠遠不夠的，而且業(yè)內充滿著誤解和流言。流言一：450AIGBT模塊最大輸出電流能力是450A，系統(tǒng)設計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標稱電流。那么什么是標稱電流？為了搞清楚這一

  IGBT 電流 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ產品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產品線現擴充ThinTOLL8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋范圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更精細的選型梯度。ThinTOLL封裝是標準8x8尺寸下發(fā)揮CoolS

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 18:47

  三相四線變換器拓撲與原理簡介

  

  三相四線制配電具有穩(wěn)定性高、適用范圍廣等優(yōu)點，多應用于工商業(yè)、民用等低壓配電場景，在傳統(tǒng)的APF、UPS等應用里，三相四線變換器已被大量采用，近年來，工商業(yè)側儲能正以其經濟性、電網友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網應用場景下，不平衡負載的帶載能力、諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。SiCMOSFET結合三相四橋臂變換器在此應用場景具有明顯的應用優(yōu)勢，本文上篇將

  PCS 三相四線 變壓器 變換器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-05 08:32

  多相電機的奇妙世界(3)：多相電機的應用場景

  

  簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自華中科技大學劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相電機的應用場景經過前面的介紹，相信大家已經對多相電機的優(yōu)點有了進一步的認識。然而你可能會疑惑為什么多相電機有這么多優(yōu)點但實際生活中卻很少見到呢？這是因為多相電機往往應用于功率需求較大或高可靠性的場合，且與之配套的變頻器往往需要獨立

  變頻器 多相電機 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-07-04 17:09

  新品 | 650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET

  

  新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術，為行業(yè)技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量，有助于滿足數據中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外，它還能為電動汽車充電和固態(tài)斷路器（SSCB）應用提供額外的浪涌保護。我們的650V

  MOS MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 17:06

  揭秘SiC肖特基二極管的關斷電容效應

  

  /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨特之處？特別是在反向恢復特性方面，它們又是如何改變游戲規(guī)則的呢？讓我們一探究竟！1什么是反向恢復？在傳統(tǒng)硅功率器件中，反向恢復現象主要與它們內部的寄生二極管有關，指二極管從導通狀態(tài)（正向偏置）切換到反向阻斷狀態(tài)（反向偏置）時

  SiC 電容效應 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 17:03

  新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS(on)）范圍擴展至7mΩ至75mΩ等10款產品可選，為用戶提供更精準的選擇?；诘谝淮夹g，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封裝，

  MOSFET SiC

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