動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-28 08:33

  多相電機(jī)的奇妙世界(2)：三相電機(jī)vs多相電機(jī)

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自華中科技大學(xué)劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。上期回顧多相電機(jī)的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越本期文章將繼續(xù)帶您探索多相電機(jī)的奇妙世界。2三相電機(jī)vs多相電機(jī)：不僅僅是數(shù)字的堆砌2.2共模電壓抑制——電磁干擾克星如果說(shuō)容錯(cuò)能力是多相電機(jī)的“硬實(shí)力”，那么共模電壓抑制則是其“軟實(shí)力”

  三相電機(jī) 多相電機(jī) 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

  

  新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設(shè)計(jì)方案。該系列產(chǎn)品現(xiàn)已新增采用底部冷卻技術(shù)的TOLL和DFN封裝，其創(chuàng)新設(shè)計(jì)可降低各類(lèi)工業(yè)及消費(fèi)電子應(yīng)用中的功率損耗。產(chǎn)品型號(hào)：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶體管 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC™ MOSFET設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng)？

  

  碳化硅直播季首場(chǎng)直播收獲了過(guò)萬(wàn)的觀(guān)看量，“打鐵需趁熱”，第一期話(huà)題直直戳中了可靠性這個(gè)核心戰(zhàn)場(chǎng)，第二期就必須得火力全開(kāi)，好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到極致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解鎖未來(lái)能源科技的神秘密碼！光儲(chǔ)應(yīng)用熱門(mén)賽道，眾多企業(yè)競(jìng)相角逐。如何憑借碳化硅技術(shù)突出重圍，效率比拼的天花板到底有多高？EV充電樁真的是國(guó)產(chǎn)的天下嗎？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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• 發(fā)布了文章 2025-06-23 17:36

  CoolSiC™ MOSFET G2如何正確選型

  

  之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOSFETG2導(dǎo)通特性解析），今天我們分析一下在軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)兩種場(chǎng)景下，如何進(jìn)行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了RDS(on)，開(kāi)關(guān)損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常

  MOSFET SiC 仿真電路

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• 發(fā)布了文章 2025-06-21 08:33

  多相電機(jī)的奇妙世界(1)：從三相到多相的跨越

  

  本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品，來(lái)自華中科技大學(xué)劉自程、王光宇、朱榮培、蔣棟、羅翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1從三相到多相的跨越——電機(jī)系統(tǒng)的技術(shù)進(jìn)步之路交流電機(jī)，作為現(xiàn)代工業(yè)的“心臟”，已逐漸成為支撐國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)防重要裝備建設(shè)的關(guān)鍵與核心。在現(xiàn)代社會(huì)，大至國(guó)之重器的“上天入地”，小至日常生活的“衣食住行”，處處都能看見(jiàn)交流電機(jī)的身影。電機(jī)系

  交流電機(jī) 多相電機(jī) 電機(jī)系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-06-20 17:10

  招生通知｜第二期 IGBT模塊：技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用培訓(xùn)班

  

  對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說(shuō)，功率半導(dǎo)體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGBT作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心元件，其性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。然而，IGBT的高頻、高壓工作特性和對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜要求，使得許多工程師在實(shí)際應(yīng)用中面臨諸多挑戰(zhàn)：精確控制：IGBT的開(kāi)關(guān)速度和損耗管理需

  IGBT 功率半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-06-19 17:05

  新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板

  

  新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板該虛擬設(shè)計(jì)（提供設(shè)計(jì)文件，不提供實(shí)物產(chǎn)品）為3L-ANPC拓?fù)?，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優(yōu)化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感，降低了開(kāi)關(guān)損耗和電壓過(guò)沖。該設(shè)計(jì)是工程師和研究人員實(shí)驗(yàn)、驗(yàn)證和優(yōu)化工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統(tǒng)的理想選擇。產(chǎn)品型號(hào)：■EVAL

  MOSFET SiC 評(píng)估板

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• 發(fā)布了文章 2025-06-18 17:49

  2025 OktoberTech™精彩回顧二： 新能源與工業(yè)應(yīng)用大咖齊聚，共同奏響產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新“交響曲”

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。來(lái)自新能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的多位重磅級(jí)演講嘉賓分享主題演講，共同探討在中國(guó)速度及產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)背景下，如何通過(guò)跨界合作培育本土創(chuàng)新生態(tài)體系，合力推動(dòng)科技創(chuàng)新，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的智能化、綠色化和融合化發(fā)展，攜手共創(chuàng)數(shù)字低碳未來(lái)。鄭大為先生伊頓電氣亞太區(qū)電能質(zhì)量研發(fā)副總裁伊頓電氣亞太區(qū)

  工業(yè) 新能源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-17 17:58

  2025 OktoberTech™精彩回顧一： CoolSiC™碳化硅新品發(fā)布， 性能指標(biāo)領(lǐng)跑全行業(yè)

  

  近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)在上海順利落下帷幕。本次活動(dòng)中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，憑借卓越的性能指標(biāo)和創(chuàng)新封裝設(shè)計(jì)，繼續(xù)全面領(lǐng)跑半導(dǎo)體行業(yè)，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了強(qiáng)有力的支

  SiC 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-06-16 17:34

  CoolSiC™ MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

  

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的選型呢？接下來(lái)兩篇文章會(huì)和大家仔細(xì)探討這個(gè)問(wèn)題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過(guò)程中，工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(o

  MOSFET SiC 英飛凌

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