英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 英飛凌零碳之路——2023年度盤點（1）2023-12-29 08:14

  

  2023年，對于半導(dǎo)體行業(yè)而是言充滿挑戰(zhàn)和機(jī)遇的一年。根據(jù)英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領(lǐng)域貢獻(xiàn)了約13%的年度營收。根據(jù)Omdia9月公布的最新數(shù)據(jù)，英飛凌功率半導(dǎo)體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一，占據(jù)超20%的市場份額。今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道

  半導(dǎo)體 新能源 英飛凌 676瀏覽量

• 英飛凌入選全球最具可持續(xù)發(fā)展能力的企業(yè)2023-12-22 08:14

  

  英飛凌科技再次入選道瓊斯可持續(xù)發(fā)展全球指數(shù)（DowJonesSustainabilityWorldIndex），標(biāo)普全球（S&PGlobal）日前在美國紐約公布了相關(guān)評估報告。負(fù)責(zé)可持續(xù)發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)的英飛凌科技管理委員會成員、首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型官ElkeReichart負(fù)責(zé)可持續(xù)發(fā)展相關(guān)業(yè)務(wù)的英飛凌科技管理委員會成員、首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型官ElkeReichart表示

  功率器件 物聯(lián)網(wǎng) 英飛凌 696瀏覽量

• 門極驅(qū)動正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響2023-12-22 08:14

  

  /引言/對于半導(dǎo)體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負(fù)壓對器件開關(guān)特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。1對導(dǎo)通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型

  半導(dǎo)體 器件 驅(qū)動 612瀏覽量

• 英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產(chǎn)品獎2023-12-21 08:14

  

  11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產(chǎn)品獎，再次展現(xiàn)了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力和行業(yè)領(lǐng)先地位，得到了業(yè)內(nèi)專家和客戶的認(rèn)可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數(shù)、可靠性及壽命

  模塊 碳化硅 英飛凌 1203瀏覽量

• SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里2023-12-16 08:14

  

  在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的電機(jī)應(yīng)用中，SiC仍然具有不可比擬的優(yōu)勢，他們是：1低電感電機(jī)低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開關(guān)

  IGBT MOSFET SiC 電機(jī)驅(qū)動 945瀏覽量

• 擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合，實現(xiàn)bast-in-Class功率密度2023-12-11 17:31

  

  我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)

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• 感應(yīng)加熱原理與IGBT應(yīng)用拓?fù)浞治觯ㄉ希?/a>2023-12-09 08:14

  

  經(jīng)常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應(yīng)用的IGBT需要有什么特點？今天我們就給大家詳細(xì)解釋感應(yīng)加熱的原理和感應(yīng)加熱的拓?fù)浞治觥Ｔ诶斫怆姶鸥袘?yīng)加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如這個世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會怎么做？最常見的方式，就是點燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統(tǒng)燃?xì)饧訜崛欢@種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋

  IGBT 感應(yīng)加熱 電磁 1668瀏覽量

• 英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實現(xiàn)更高效率和功率密度2023-12-02 08:14

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應(yīng)用于250kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)

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• 英飛凌EiceDRIVER™技術(shù)以及應(yīng)對SiC MOSFET驅(qū)動的挑戰(zhàn)2023-12-01 08:14

  

  碳化硅MOSFET導(dǎo)通損耗低，開關(guān)速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅(qū)動電壓的選擇、驅(qū)動參數(shù)配置及短路響應(yīng)時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部產(chǎn)品工程師鄭姿清女士，在2023IPAC英飛凌工業(yè)功率技術(shù)大會上，發(fā)表了《英飛凌EiceDRIVER技術(shù)以及應(yīng)對SiCMOSFET驅(qū)動的挑戰(zhàn)》的演講，詳細(xì)剖析了SiCMOSFET對驅(qū)動芯片的需求，以及我們

  MOSFET SiC 英飛凌 驅(qū)動 1563瀏覽量

• 增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量2023-11-28 08:13

  

  碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對稱溝槽柵既解決柵極氧化層的可靠性問題、又提高了SiCMOSFET的性能?增強(qiáng)型M1HCoolSiC芯片又“強(qiáng)“在哪里？英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級工程師趙佳女士，在2023英

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