英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 魚(yú)與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬(wàn)轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是

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• IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。以1700V/1000A

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• Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫2022-05-24 05:30

  

  ///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請(qǐng)大家考慮一個(gè)問(wèn)題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開(kāi)始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡(jiǎn)稱(chēng)結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會(huì)比芯片的外殼高。。。原

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• 新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT2022-05-24 05:26

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高

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• 如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間2022-05-24 05:24

  

  SiCMOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動(dòng)芯片退飽和檢測(cè)原理，芯片內(nèi)置一個(gè)恒流源。功率開(kāi)關(guān)器件在門(mén)極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升

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• IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓2022-05-13 01:25

  

  先說(shuō)結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來(lái)說(shuō)，很多工程師客戶(hù)希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門(mén)極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG

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• 英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率2022-05-10 01:25

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國(guó)紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會(huì)上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來(lái)自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專(zhuān)家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動(dòng)控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國(guó)紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體

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• 如何拓展IGBT驅(qū)動(dòng)器電流2022-05-08 01:46

  

  功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路是集成電路的一個(gè)重要子類(lèi)，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動(dòng)IC除了提供驅(qū)動(dòng)電平和電流，往往帶有驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級(jí)關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級(jí)的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動(dòng)IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿(mǎn)足大電流IGB

  電流 驅(qū)動(dòng)器 1976瀏覽量

• 當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管2022-04-30 01:57

  

  英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測(cè)試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥？不妨讀完此文，撥云見(jiàn)日，三站地鐵，十分鐘足

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• 怎么理解驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流能力2022-04-28 01:33

  

  使用功率開(kāi)關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對(duì)標(biāo)稱(chēng)各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí)，往往感覺(jué)選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個(gè)剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來(lái)看一下這個(gè)驅(qū)動(dòng)峰值電流的定義方式。這個(gè)很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說(shuō)法不一樣，所以要參考規(guī)格書(shū)。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A

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