99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一文講透英飛凌碳化硅Easy模塊

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2024-05-16 08:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

迄今為止,英飛凌1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模塊系列的很多產(chǎn)品已經(jīng)正式推出。

CoolSiC MOSFET M1H增強型技術,“強”在哪里?

CoolSiC MOSFET M1H增強型技術,可大大改善漏源導通電阻,擴大柵極-源極間的電壓區(qū)域,從而提高驅(qū)動靈活性,主要有以下四個優(yōu)勢:

1

M1H系列的Rds(on)有了極大提升,在同樣芯片面積下,增強型M1H的Rds(on)減小12%。

2

門極電壓的耐壓范圍進一步擴大,穩(wěn)態(tài)耐壓值在-7~20V,瞬態(tài)耐壓值-10~23V。推薦開通電壓15-18V,關斷電壓-5~0V。

3

M1H系列門極電壓閾值較高,大大減少了0伏關斷時的誤導通情況,提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

4

最大結溫可達175℃,進一步提升功率密度。

此外,英飛凌是業(yè)內(nèi)第一家在在規(guī)格書里面標注碳化硅短路能力的半導體器件廠商,可以選擇18V Vgs,降低Rds(on);或者15V Vgs,獲得短路能力。

M1H系列的芯片尺寸更多樣化,包括55mΩ,33mΩ以及13mΩ,從而在面對不同Rds(on)的組合時候,提供了更多的可能性和靈活性。

M1H增強型技術芯片性能大幅提升,最小化動態(tài)開關過程對閾值和導通電阻的影響,保證更好的參數(shù)穩(wěn)定性。

308b2854-1319-11ef-9118-92fbcf53809c.jpg

目前英飛凌已經(jīng)推出了哪些CoolSiC MOSFET 1200V M1H Easy模塊?

英飛凌Easy模塊具有可擴展性和靈活性,Easy 1B和2B模塊已上市多年,應用十分廣泛。為了確保以同樣模塊高度設計更高功率的系統(tǒng),英飛凌進一步開發(fā)了Easy 3B和4B模塊。這兩款封裝可以帶來更高的功率、更大的電流,采用1200V CoolSiC MOSFET芯片,以更好地滿足新興應用的要求。

目前,1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模塊擁有豐富的拓撲結構,包括半橋、全橋、三相橋、三電平以及boost。其中半橋的Easy3B模塊,最小Rds(on)為2mΩ。

30aa8f00-1319-11ef-9118-92fbcf53809c.jpg

總結Easy碳化硅模塊的優(yōu)勢:

1

無銅底板模塊,為用戶提供了更具性價比的產(chǎn)品方案。部分Easy 1B以及2B模塊配置了氮化鋁基板,相較于傳統(tǒng)的氧化鋁的材料,熱阻降低40%,從而降低結溫,減小散熱成本。

2

封裝上的靈活出PIN,使驅(qū)動回路和功率回路都做到最小,尤其適用于碳化硅這樣的高速開關器件。而PressFit Pin的功能,可以簡化系統(tǒng)的安裝流程

1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模塊適用于哪些高速開關應用?

Easy模塊完美適用于標準化和定制化解決方案,用于光伏,電動汽車充電樁,ESS等多個工業(yè)應用。

?DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK 3B封裝的2000V CoolSiC MOSFET功率模塊。適用于1500V光伏系統(tǒng)。實際應用中,通過使用2000V的DF4-19MR20W3M1HF_B11,兩電平可以取代三電平的結構,在輕載下,Boost升壓效率提高了1%, 而在所有工作條件下,升壓效率平均提高了0.5%。它實現(xiàn)了更簡單的解決方案,減少了器件的數(shù)量,同時提高了功率密度,降低了1500 VDC應用的總系統(tǒng)成本。

?1200V,17mΩ全橋碳化硅Easy模塊(F4-17MR12W1M1H),適用于10-12kW的充電樁應用或者雙向隔離轉(zhuǎn)換器。其效率可高達97.5%,并且憑借高頻開關減少無源元件的體積,簡化安裝過程,從而提高提高系統(tǒng)可靠性

?1200V,11mΩ T型三電平碳化硅Easy模塊(F3L11MR12W2M1HP_B19)可實現(xiàn)雙向的AC-DC,適用于雙向NPC2拓撲以及60kW充電樁的AC-DC部分。

?1200V,4mΩ半橋碳化硅Easy模塊(FF4MR12W2M1H(P)_B11)可以通過并聯(lián)的方式應用于大功率的應用中,實現(xiàn)更好的均流表現(xiàn),增加系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

碳化硅Easy模塊,根據(jù)客戶需求不同拓撲和不同芯片的組合,可以量身定制,滿足不同的應用需求,器件的Rds(on)介于55毫歐和2毫歐,有多種拓撲結構可選。正因為此,這一系列的產(chǎn)品型號還將不斷擴大,以滿足市場的需求。

Easy全球化戰(zhàn)略

(Easy Modules for the World )

為滿足全球巨大的零碳化需求,以及市場對Easy模塊快速增長的需求,英飛凌啟動了新策略,全球化擴展生產(chǎn)基地(Easy Modules for the world)。通過構建各地不同的后道工廠產(chǎn)線,貼近區(qū)域市場和要求,實現(xiàn)本地化確保提升交付的安全性和穩(wěn)定性。通過這個策略,英飛凌具備了為各種應用提供更多、更好的Easy碳化硅模塊的能力。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關注

    關注

    68

    文章

    2348

    瀏覽量

    140656
  • easy
    +關注

    關注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    12622
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3067

    瀏覽量

    50517
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來西亞的新工廠期項目正式啟動運營,這是座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠,
    的頭像 發(fā)表于 08-12 09:10 ?4597次閱讀

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    的真相(誤區(qū)見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術創(chuàng)新應對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp,電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?252次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以<b class='flag-5'>英飛凌</b>?—— SiC MOSFET性能評價的真相

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術優(yōu)勢

    的PIM模塊,廣泛應用于商用空調(diào)和熱泵驅(qū)動。 基本股份的BMS065MR12EP2CA2碳化硅PIM模塊方案全面取代英飛凌用于商用空調(diào)和熱泵驅(qū)動的FP35R12N2T7_B67
    的頭像 發(fā)表于 03-16 17:19 ?538次閱讀
    國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率PIM<b class='flag-5'>模塊</b>取代<b class='flag-5'>英飛凌</b>PIM<b class='flag-5'>模塊</b>的技術優(yōu)勢

    博世碳化硅功率模塊生產(chǎn)基地落成

    近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領域邁出了重要
    的頭像 發(fā)表于 03-06 18:09 ?705次閱讀

    國內(nèi)碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

    器件設計公司正在加速被市場拋棄:碳化硅功率器件設計公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務動態(tài),可從以下維度分析這趨勢: 1. 技術壁壘與產(chǎn)能競賽:頭部企業(yè)構建護城河 技術門檻高企 :
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?562次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果

    高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:41 ?422次閱讀
    高頻感應電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代<b class='flag-5'>英飛凌</b>IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗計算對比

    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

    傾佳電子楊茜以50KW高頻電鍍電源應用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-09 20:17 ?547次閱讀
    高頻電鍍電源國產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>損耗對比

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?879次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅襯底,進化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4155次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底,進化到12英寸!

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了項重大技術創(chuàng)新,成功推出了款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?891次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1176次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點和應用

    英飛凌居林工廠擴建成全球最大碳化硅晶圓廠

    英飛凌在2024財年第三季度財報電話會上,碳化硅與居林工廠成為焦點。會后,英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck即刻啟程,前往馬來西亞吉打州,參加個具有里程碑意義的儀式—
    的頭像 發(fā)表于 08-26 09:50 ?734次閱讀