全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心,實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
該碳化硅模塊無基板設計,支持高達 2300V 的電壓,專為 1500V DC 總線應用量身打造。其卓越的效率、耐用性、可靠性以及可擴展性,為相關行業(yè)帶來了革命性的變化,不僅提升了能源轉換效率,還顯著增強了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命。
Wolfspeed 的這一創(chuàng)新成果,預示著可再生能源利用、能量存儲解決方案以及電動汽車快速充電技術將迎來更加高效、可持續(xù)的發(fā)展未來,為全球能源轉型和綠色低碳生活貢獻重要力量。
-
芯片
+關注
關注
460文章
52524瀏覽量
441272 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3067瀏覽量
50507 -
Wolfspeed
+關注
關注
0文章
71瀏覽量
7445
發(fā)布評論請先 登錄
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
國產SiC碳化硅功率半導體全面取代Wolfspeed進口器件的路徑
全球產業(yè)重構:從Wolfspeed破產到中國SiC碳化硅功率半導體崛起

東升西降:從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產業(yè)鏈重構
?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊
CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

Wolfspeed第4代碳化硅技術解析

高頻電鍍電源國產SiC碳化硅模塊替代富士IGBT模塊損耗對比

碳化硅薄膜沉積技術介紹

產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
Wolfspeed碳化硅8寸工廠迎新進展

評論