IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
2024-03-18 16:30:39
262 
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN 之前無法支持的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13819 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強
2024-03-07 16:03:04211 應(yīng)用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5370 
? 在處理激光光學(xué)時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術(shù)語經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應(yīng)用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
中，正逐漸引入 SiC 器件以及更高的母線電壓，提升充電功率。這一趨勢也對隔離式偏置供電電源的設(shè)計提出了新的要求，對此，MPS 推出 LLC 變壓器驅(qū)動芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案，助力高功率密度的充電系統(tǒng)設(shè)計。 演講大綱： 1. 隔離式偏置電源的挑戰(zhàn) 2. LLC 變壓器
2023-11-15 12:15:01202 
點的非隔離（POL）降壓穩(wěn)壓器用于驅(qū)動各種電子負載，如微處理器，F(xiàn)PGA和ASIC的跨系統(tǒng)板。構(gòu)建POL調(diào)節(jié)器的任務(wù)是更簡單的，因為現(xiàn)在的降壓比越小。近日，在技術(shù)展區(qū)文章“更高功率，效率和密度八分之一磚轉(zhuǎn)換器”它表明，八分之一磚
2023-11-03 16:20:24213 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
。
功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換、驅(qū)動、控制等電力電子裝置的基礎(chǔ)和核心，是推動電力電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關(guān)鍵因素之一。
下面以特斯拉來看看功率半導(dǎo)體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業(yè)自動化、功率逆變
2023-09-19 02:43:54232 了該封裝的功率密度上限。目標應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，比如近幾年，單電機的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進步。 ? 此前《中國制造2025重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中的目標是，到2025年和2030年，國內(nèi)乘用車驅(qū)動電機20s有效比功率分別要達到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:27264 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)動（例如
2023-08-14 16:00:49283 器 件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載 流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密 度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流 電壓為 600V 及以上的
2023-08-08 10:14:122 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 幾乎每個應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都歸結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
針對所有的應(yīng)用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅(qū)動的設(shè)計，例如電動馬達、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應(yīng)用中的能耗；因此
2023-07-05 12:00:33299 
V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅(qū)
2023-07-05 09:20:27459 
針對所有的應(yīng)用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅(qū)動的設(shè)計，例如電動馬達、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應(yīng)用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅(qū)動指定高效率的設(shè)計，以適合每項特定應(yīng)用變得更加重要。
2023-07-01 16:09:02380 
單片GaN器件集成驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
90vac時效率為94.5%，在230vac時效率為95.8%與之前最先進的設(shè)計相比，效率至少提高1%，節(jié)能高達20%。估計外殼尺寸為100cc，功率密度為1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
目前市面上的各種電器大多需要進行AC-DC電源轉(zhuǎn)換，因此若能提升AC-DC電源轉(zhuǎn)換效率，將有助于降低家庭的電力消耗與企業(yè)的運營成本，也有利于提升像是儲能系統(tǒng)、電池充電等應(yīng)用的運作效率。本文將為您介紹功率因數(shù)校正技術(shù)的特性，以及由安森美（onsemi）推出的NCP1681 PFC控制器的產(chǎn)品特性與優(yōu)勢。
2023-06-14 10:08:10598 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT
2023-06-09 09:45:30583 800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 又是逆變器實現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關(guān)鍵器件，目前電動汽車驅(qū)動逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si(硅)器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊的設(shè)計，存在開關(guān)頻率低、損耗大的缺點，外圍配套濾波器體積大，質(zhì)量重，制約了逆變控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
能量轉(zhuǎn)換效率是一個重要的指標，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓撲，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
點擊藍字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
2023-04-06 11:45:301042 供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50A、600V SGTP50V60FD2PU電機逆變器igbt，是士蘭微igbt一級代理商，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:22:26
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動電機igbt，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:14:31
供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:09:042 供應(yīng)igbt伺服電機驅(qū)動管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:07:50
供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù)，提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:562 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)士蘭微焊機IGBT單管 驅(qū)動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動電機的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:27:47
供應(yīng)士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:22:02
供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35930 
IGBT驅(qū)動芯片IR2104的使用。 通過用arduino來控制IR2104芯片驅(qū)動半橋IGBT功率管，通過上位機串口控制實現(xiàn)輸出不同占空比的偽模擬電壓信號。主要知識點是電路板設(shè)計和上位機編程實現(xiàn)
2023-03-27 14:57:37
功率密度指標評價需要在一定的前提條件下進行，與指標定義、評價對象、運行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時間、恒功率調(diào)速范圍等因素密切相關(guān)，不同前提下功率密度量化指標差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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