隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。

MOSFET技術(shù)的發(fā)展對汽車電源管理的革新

傳統(tǒng)的晶體管外型（TO）封裝在解決動力系統(tǒng)應(yīng)用提供了經(jīng)過驗證的方案，這些應(yīng)用需要數(shù)百到數(shù)千瓦的額定功率。然而，TO封裝的限制逐漸凸顯，特別是在面對RDS(ON)面積持續(xù)縮小的最新技術(shù)上。隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新以滿足硅片的需求，攻克封裝創(chuàng)新的挑戰(zhàn)成為了行業(yè)的共識。在這個背景下，出現(xiàn)了采用無鍵合線（BWL）互聯(lián)技術(shù)的新封裝結(jié)構(gòu)，其通過兩個金屬夾片將MOSFET的源極和柵極接地到端子，顯著改善了MOSFET的電源系統(tǒng)性能。

RDS(On)在封裝中的情況影響著電阻的最小化，這直接關(guān)系到封裝的性能。無鍵合線（BWL）互聯(lián)技術(shù)的運用及雙金屬夾片結(jié)構(gòu)的引入，成功實現(xiàn)了電阻和電感的最大化減少，為提升器件性能開辟了新戰(zhàn)略。

降低RDS(ON)值會顯著減少傳導(dǎo)功率損耗。通過盡可能地降低整體電阻，BWL封裝在負(fù)載電流增加的場景下能夠更有效地保持器件溫度低的狀態(tài)，并防止RDS(ON)頻繁上升。最新的40V器件溫度比先進(jìn)的D2PAK產(chǎn)品低了近40℃，表現(xiàn)出了極好的功率密度。

隨著技術(shù)的進(jìn)步，MOSFET在提升效率和確保系統(tǒng)可靠性方面發(fā)揮了巨大作用。未來，伴隨著小型化、低熱阻封裝的趨勢，我們相信MOSFET將繼續(xù)在應(yīng)對汽車電子的快速發(fā)展中發(fā)揮其重要性，對驅(qū)動汽車電子功率密度的提升注入更大動力。