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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET設(shè)計(jì)
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DCDC 6045 0
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元...
電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理
我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始...
場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管NMOS 6019 0
三菱電機(jī)開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)洌话愕拇蠊β蕬?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行,需要考慮模塊自...
耗盡型JFET在模擬設(shè)計(jì)中的應(yīng)用分析
目前市場上有6種不同類型的場效應(yīng)管(FET),在兩類主要的FET中,增強(qiáng)型FET比耗盡型FET的應(yīng)用要廣泛得多。但耗盡型FET尤其是JFET在模擬設(shè)計(jì)中...
2020-09-24 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管模擬設(shè)計(jì) 6007 0
功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)
通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..
電荷泵的工作原理是什么?電荷泵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹
電荷泵是一種增加或反轉(zhuǎn)直流電壓的電壓變換器。例如,+5V可以轉(zhuǎn)換為+10V或-5V(或更高/更低的值)。
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語,而且是...
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
詳解運(yùn)放的偏置電流Ib與失調(diào)電流Ios
我們前面說過,理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流為0,所以才有“虛斷”的說法,但是實(shí)際運(yùn)放的輸入管腳都會(huì)流入或流出少量的電流,并且經(jīng)常同相端的電流和反相...
MOSFET的電路符號(hào)和開關(guān)應(yīng)用 MOSFET功率放大器電路圖分享
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫。它是一種 FET(場效應(yīng)晶體管),其柵極和溝道之間具有絕緣金屬氧化物層。相反,JFET 的柵極與其溝道...
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。
2018-09-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 5944 0
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)技術(shù)的電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放...
MOS管的快速開啟和關(guān)閉(MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì))
MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響...
2023-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 5921 0
氣味傳感器的實(shí)戰(zhàn)設(shè)計(jì)應(yīng)用
把學(xué)到的運(yùn)放的知識(shí)用來在實(shí)際原理圖的設(shè)計(jì)中進(jìn)行運(yùn)用。對(duì)于運(yùn)放來講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實(shí)際項(xiàng)目的需要所進(jìn)行的。
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 5897 0
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