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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案
本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯?,出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6380 0
分享四種常見的MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路,都用過嗎?
2022-10-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路 6368 0
在我為這個(gè)系列所撰寫與熱點(diǎn)問答有關(guān)的上一篇博文中,我曾經(jīng)解釋了什么是電氣過應(yīng)力 (EOS),它是如何影響集成電路 (IC) 組件的,以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(根...
前面說了一些MOS管的知識(shí),就有同學(xué)留言說能不能說一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理,那我們今天來簡(jiǎn)單說一下,首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來劃分的...
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來簡(jiǎn)單盤一盤。
早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ,不久之后,則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)工藝為主流** 。MOSFET由于...
繼前一篇的“裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)”之后,本文將介紹在相同的BEV電源架構(gòu)的組成模塊之一—OBC的雙向圖騰柱PFC中使用第4代SiC MOSFE...
2024-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPFC電路 6303 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
美國(guó)佛羅里達(dá)大學(xué)、美國(guó)海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國(guó)大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān),展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
2018-12-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 6275 0
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時(shí),理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。
介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用
LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地...
2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器ltc7000 6255 0
深入淺出了解高邊驅(qū)動(dòng)在汽車應(yīng)用中的挑戰(zhàn)
隨著汽車電子技術(shù)發(fā)展,電動(dòng)化,輕量化與智能化需求帶動(dòng)了車規(guī)級(jí)高邊驅(qū)動(dòng)(High-side Driver, HSD)在車身負(fù)載驅(qū)動(dòng)中的大規(guī)模應(yīng)用。
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6240 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計(jì)有直接的關(guān)系,縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間可有效降低開關(guān)損耗;最后,驅(qū)動(dòng)MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部,輸出能力很強(qiáng),通常電...
2022-08-19 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6222 0
高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT簡(jiǎn)析
光耦也叫光電耦合器,是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成,密閉于同一殼體內(nèi),彼此用透明絕緣體隔離。
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