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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動(dòng)雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹
如今整個(gè)電路系統(tǒng),性能要求越來(lái)越高,功耗要求越來(lái)越低,其設(shè)計(jì)也越來(lái)越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)中會(huì)存在各個(gè)元器件之間的工作電壓不一致的情況;
2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器場(chǎng)效應(yīng)管 6655 0
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除MOSFET的過(guò)應(yīng)力
本應(yīng)用筆記主要從三個(gè)方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程中有效消除 MOSFET 的過(guò)應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動(dòng)功能的反激式控制器設(shè)計(jì);其次...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6640 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析(下)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
探討MOSFET對(duì)DC/DC穩(wěn)壓器電路適用的EMI的抑制技術(shù)
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中,介紹了抑制傳導(dǎo)和輻射電磁干擾 (EMI) 的實(shí)用指南和示例,尤其是針對(duì)采用單片集成功率 MOSFET 的 DC...
什么是智能音響?智能音響內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)詳解
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的升級(jí)與發(fā)展,讓很多物體都有了“感知”和“生命”。例如智能音響,能在一天的勞累工作之后讓雙手得到釋放。不僅如此,它還可以實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音點(diǎn)歌、網(wǎng)上...
風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心,通過(guò)模擬電路...
思睿達(dá)TT6267SK測(cè)試報(bào)告 良好EMI特性 低功耗 方便散熱
1、樣機(jī)介紹 該測(cè)試報(bào)告是基于一個(gè)能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān),無(wú)需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來(lái)切換電氣負(fù)載。
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器SSR 6569 0
理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器...
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 6498 0
開關(guān)電源電路開發(fā)設(shè)計(jì)秘籍大全
歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小秘笈! 隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),本文就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。無(wú)論您是從事電源業(yè)務(wù)多年...
2014-09-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 6496 0
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)...
功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)技術(shù)分為無(wú)源功率因校正數(shù)和有源功率因數(shù)校正兩種,其中有源功率因數(shù)校正方式應(yīng)用最為廣泛。
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...
2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6426 0
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
?了解如何創(chuàng)建一個(gè)設(shè)計(jì),及運(yùn)行Vout變換仿真
對(duì)于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來(lái)越高。為了應(yīng)對(duì)這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
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