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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...
單鍵實現(xiàn)單片機開關(guān)機設(shè)計案例
單片機工作后,將最先進行IO口初始化,IO1設(shè)為輸入狀態(tài),啟用內(nèi)部上拉;IO2設(shè)為輸出狀態(tài),輸出高電平。這時Q2、Q3導(dǎo)通,LED1發(fā)光,7805能夠正...
從硅過渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比
派恩杰半導(dǎo)體認為,Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品,因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。
場效應(yīng)管的特點 場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢
場效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)、JF...
2023-02-17 標簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 5672 0
目前市場運放種類繁多,面對不同的使用條件和環(huán)境,是否都能選擇一樣的運放呢?沒關(guān)系,這是很多電子工程師都會困惑的問題,接下來為你揭開運放選型的神秘面紗
2023-09-13 標簽:MOSFET場效應(yīng)管運算放大器 5671 0
Nexperia均流技術(shù)的并行MOSFET設(shè)計應(yīng)用
多年來,功率MOSFET一直是高功率應(yīng)用的支柱,能夠可靠地提供大電流。然而,隨著功率應(yīng)用技術(shù)的進步,需要極高水平的電流。這些應(yīng)用已達到功率水平要求,而一...
采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路
自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個方波信號,利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B...
東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
H 橋(全橋)驅(qū)動器在驅(qū)動有刷直流電機等負載中非常流行,廣泛用于機器人和工業(yè)。使用 H 橋驅(qū)動器的主要優(yōu)點是效率高、旋轉(zhuǎn)方向改變和制動電機。在這篇文章/...
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個典型的N溝道增強型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個平面可以稱為體...
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論動態(tài)特性。...
散熱器的選擇與設(shè)備應(yīng)用的規(guī)格分析
散熱片很重要!電路設(shè)計的一個重要方面是,它們提供了一種有效的熱量輸送路徑,可以將電子設(shè)備(例如BJT,MOSFET和線性穩(wěn)壓器)轉(zhuǎn)移到環(huán)境空氣中。
電源設(shè)計工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計電源時,大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初...
部分耗盡SOI器件新體接觸技術(shù)可有效克服MOSFET中的浮體效應(yīng)
SOI技術(shù)帶來器件和電路性能提高的同時也不可避免地帶來了不利的影響,其中最大的問題在于部分耗盡SOI器件的浮體效應(yīng)。當器件頂層Si膜的厚度大于最大耗盡層...
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
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