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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應(yīng)靠近MOS的S極,因?yàn)樵诖穗娮枭汐@取取樣較低的電壓,距MOS的S極遠(yuǎn),總電阻會增加而產(chǎn)生誤差,另外也容易受到外部...
2023-12-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源整流電路MOS 624 0
一、行業(yè)背景隨著環(huán)保意識的不斷提高和城市交通擁堵問題的日益嚴(yán)重,電動平衡車以其小巧靈活、綠色環(huán)保等特點(diǎn),成為了人們出行的新選擇。一方面,電動平衡車市場呈...
首發(fā):耐壓85V 內(nèi)置MOS降壓控制器方案FP7132
FP7132是一種高效的降壓控制器。它被設(shè)計(jì)為在連續(xù)電流模式下工作,為高亮度的led供電,寬輸入電壓范圍為6V到85V。FP7132采用了一種滯后控制結(jié)...
超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性
#超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性#在全負(fù)載范圍內(nèi),相比傳統(tǒng)功率器件,超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。...
功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指...
在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐,深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略,為電路可靠性...
臺懋半導(dǎo)體MOS管:在 RGB 控制器中的卓越表現(xiàn)
一、行業(yè)背景在當(dāng)今絢麗多彩的電子世界里,從璀璨奪目的舞臺燈光,到酷炫迷人的電腦機(jī)箱燈帶,再到智能家居設(shè)備那靈動多變的指示燈,RGB控制器宛如一位神奇的“...
SDA和SCL都是雙向線路,都通過一個電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時,這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級必須是漏極開路或集電...
2024-04-10 標(biāo)簽:芯片振蕩器場效應(yīng)管 589 0
臺懋半導(dǎo)體 MOS:為鋰電池保護(hù)板 “保駕護(hù)航”
臺懋半導(dǎo)體 MOS 管經(jīng)過 100% UIS 測試和 100% Rg 測試,為鋰電池保護(hù)板提供持續(xù)、穩(wěn)定的保護(hù)。
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力,氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,它可在更高的頻率下運(yùn)行,且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
芯片干貨 | 異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片F(xiàn)P6296,最高輸出5-12V/30W,輸入限流可調(diào)
FP6296是一個電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是PWM電路與內(nèi)置的15mΩ功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器的高功率效率。誤差放大器的非反相輸入連接到一個...
2025-02-28 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 569 0
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓FP6298,最高輸出5-9V/9-11W,輸入限流可調(diào)
概述FP6298是一個電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是內(nèi)置PWM電路0.08Ω功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個外部組...
2025-02-14 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOSFET 559 0
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓芯片 FP6291C,最高輸出5-12V/6-8W,輸入限流可調(diào),易過EMI
概述FP6291C是一個電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的PWM電路內(nèi)置0.2Ω功率MOSFET使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個外部組件...
2024-11-23 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOS 538 0
LP38851 具有啟用功能的 800mA、低 VIN (0.915V)、可調(diào)超低壓差穩(wěn)壓器
LP38851-ADJ 是一款大電流、快速響應(yīng)穩(wěn)壓器,能夠以極低的輸入至輸出電壓降保持輸出電壓調(diào)節(jié)。該器件采用 CMOS 工藝制造,采用兩種輸入電壓工作...
MOS管選型十大陷阱:參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD
在電力電子設(shè)計(jì)中,MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管,直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體...
驅(qū)動電路設(shè)計(jì)踩坑錄:MDDMOS管開關(guān)異常的診斷與修復(fù)
在電力電子系統(tǒng)中,MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱,導(dǎo)致整機(jī)返修率...
遠(yuǎn)翔內(nèi)置MOS降壓控制芯片F(xiàn)P7153特殊功能說明與FB Pin 調(diào)光控制、電路計(jì)算公式說明
功能說明a.EN開關(guān)控制EN小於0.3V將IC關(guān)閉,VccPin耗電流0.1μA,EN大於1.5V啟動IC,不做開關(guān)控制直接將EN接到Vin。切記勿將E...
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